[发明专利]一种显示面板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202010106988.5 | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111293135A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 崔强伟;龚林辉;刘超;孟柯;汪楚航;王莉莉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置。该显示面板包括:透明基板,包括显示区;发光器件,位于透明基板上,且在透明基板上的正投影区域位于显示区内;阵列电路,位于发光器件远离透明基板的一侧,与发光器件电连接,用于驱动发光器件发光,发光器件的发光面远离阵列电路;绑定结构,位于阵列电路远离发光器件的一侧,且在透明基板上的正投影区域位于显示区内。由于阵列电路位于发光器件的背部,并且绑定结构位于阵列电路远离发光器件的一侧,能够在发光器件的背部进行弯折绑定工艺,并不会在显示面板的边缘位置进行弯折绑定工艺,能够真正意义上实现无边框全面屏显示,也使得高分辨率拼接显示得以实现。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体为一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)技术,即发光二极管微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管阵列。微发光二极管由于其自发光、发光效率高、对比度高、工作温度范围宽、功耗低、对水和氧的阻绝性优良,以及较快的响应时间等优良特性,在大尺寸拼接屏应用领域受到越来越多的关注。
随着窄边框甚至无边框全面屏技术的发展,诸多相关技术应运而生,比如侧面绑定(Bonding),侧面走线(sidewiring)等,但由于侧面走线的限制,显示边框减少仍有一定瓶颈,使得显示面板边缘仍保留一定的边框,不能实现真正意义上的无边框全面屏,对于拼接显示,边框拼缝的限制,使得实现高分辨率显示难度较大。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种显示面板及其制造方法、显示装置,用于解决现有技术中无法实现无边框全面屏的技术问题。
为了解决上述问题,本申请实施例主要提供如下技术方案:
在第一方面中,本申请实施例公开了一种显示面板,包括:
透明基板,包括显示区;
发光器件,位于所述透明基板上,且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内;
阵列电路,位于所述发光器件远离所述透明基板的一侧,与所述发光器件电连接,用于驱动所述发光器件发光,所述发光器件的发光面远离所述阵列电路;
绑定结构,位于所述阵列电路远离所述发光器件的一侧,且在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内。
可选地,所述显示面板还包括反光层,位于所述阵列电路与所述绑定结构之间,用于反射所述发光器件发出的朝向所述阵列电路一侧的光。
可选地,所述显示面板还包括粘合层,位于所述发光器件朝向所述透明基板的一侧,用于粘合所述发光器件和所述透明基板。
可选地,所述显示面板还包括缓冲层和平坦化层;所述缓冲层位于所述发光器件与所述阵列电路之间;所述平坦化层位于所述阵列电路与所述绑定结构之间。
可选地,所述缓冲层的材料包括具有粘性的环氧类材料。
可选地,所述发光器件包括第一电极、第二电极和发光层;所述阵列电路包括公共电极和若干阵列排列的薄膜晶体管;所述第一电极与所述公共电极电连接,所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
可选地,所述发光器件为微型发光二极管或有机发光器件。
在第二方面中,本申请实施例公开了一种显示装置,包括:第一方面所述的显示面板。
在第三方面中,本申请实施例公开了一种显示面板的制造方法,包括:
提供一透明基板,所述透明基板包括显示区;
在所述透明基板上制作发光器件,所述发光器件在所述透明基板上的正投影区域位于所述显示区内;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的