[发明专利]半导体基材表面去除氟杂质的方法在审
| 申请号： | 202010107211.0 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113284788A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 邹兴富 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 表面 去除 杂质 方法 | ||
1.一种半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，包括：
将待处理的半导体基材放入腔室中；
对所述腔室内加热，以使所述腔室内的温度达到预设温度值，并对所述腔室抽真空，以使所述腔室内的压强达到预设的压强值；
在所述半导体基材在所述腔室内放置预定时间后，取出所述半导体基材并将其放入碱溶液中浸泡；
取出经过碱溶液浸泡的所述半导体基材并对其进行清洗。
2.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，对所述半导体基材进行清洗的方式为：
将所述半导体基材放入乙醇溶剂中清洗。
3.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述乙醇溶剂的温度为23℃到25℃。
4.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述碱溶液为：在离子水添加氢氧化钾而使PH大于或等于9的溶液。
5.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述半导体基材在所述碱溶液中浸泡的时间为20分钟。
6.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述半导体基材在所述腔室内挥发出的氟离子气体经过吸附处理。
7.如权利要求6所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，真空泵通过真空管对所述腔室进行抽真空，其中真空管的末端设有用于吸附氟离子的活性炭，所述活性炭在所述真空管的末端的单位面积重量为1000m2/g。
8.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述预定时间为20分钟。
9.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述预设温度值为350℃，所述预设的压强值为500帕。
10.如权利要求1所述的半导体基材表面去除氟杂质的方法，其特征在于，所述半导体基材为硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
