[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审

申请号：	202010107586.7	申请日：	2020-02-21
公开（公告）号：	CN111640663A	公开（公告）日：	2020-09-08
发明（设计）人：	新关智彦;木原嘉英	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01J37/32
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述被蚀刻膜的步骤，其中上述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

专利文献1提出了一种方法，其通过等离子体生成用的高频电功率从含氢气体和含氟气体生成等离子体，在﹣30℃以下的极低温环境中用生成的等离子体对硅氧化膜和硅氮化膜这样的蚀刻对象膜进行蚀刻。由此，实现高蚀刻速率和高选择比。

专利文献2提出了一种方法，其将具有硅氧化膜和设置于该硅氧化膜上的掩模的被处理体暴露于处理气体的等离子体，对硅氧化膜进行蚀刻，减轻因硅氧化膜的蚀刻而可能得到的形状的弧弯(bowing)。在专利文献2中，掩模包含含金属的膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-207840号公报

专利文献2：日本特开2015-041624号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其能够改善由过渡金属的掩模的残渣导致的缩颈(necking)。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个方式，提供一种处理基片的基片处理方法，其中，该基片包括：由过渡金属形成的具有开口部的掩模；和形成于上述掩模之下的含硅的被蚀刻膜，该基片处理方法包括用混合气体生成的等离子体通过上述掩模的开口部蚀刻上述被蚀刻膜的步骤，其中上述混合气体是在含卤素气体中添加具有羰基键的气体而得到的混合气体。

发明效果

依照一个方面，能够改善由过渡金属的掩模的残渣导致的缩颈。

附图说明

图1是表示一个实施方式的基片处理装置的一例的截面示意图。

图2是表示蚀刻形状的一例的图。

图3是表示一个实施方式的添加CO气体的结果的一例的图。

图4是比较CO气体添加的有无和蚀刻的移位量的图。

图5是表示一个实施方式的处置步骤时的添加各种气体的结果的一例的图。

图6是表示钨的一氧化碳配合物的蒸气压曲线的图。

图7是表示一个实施方式的基片处理方法的一例的流程图。

附图标记说明

1 基片处理装置