[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010108369.X | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111293154A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 郭庆勋;王硕晟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括基板;阳极层,设置于所述基板上;像素限定层,设置于所述阳极层和所述基板上;以及OLED器件,设置于所述像素限定层中;其中,所述像素限定层中还设置有光电转换器,所述光电转换器设置在所述阳极层上且邻近所述OLED器件设置。本发明实施例通过在像素限定层中设置光电转换器,可以吸收OLED器件的光转化为电能,一方面该电能可以直接用于补偿亮度较低、衰减较快的OLED器件;另一方面,通过对该电信号的监测来判断相应像素单元的亮度,从而通过像素驱动电路对亮度较低、衰减较快的OLED器件进行补偿,两方面均可改善面板整体的亮度均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(Active-matrix organic light emittingdiode,AMOLED)具有自发光的特性,采用柔性的基板,柔性低温多晶硅技术(LowTemperature Poly-silicon,LTPS)制程及高效率有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,,OLED)显示技术。与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,AMOLED面板是自发光,不需要背光源,具有快响应、高色域、高对比度、广视角、视角广、低功耗、可折叠、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等优势,被视为最具前途的产品之一。
不同于液晶,AMOLED采用的是主动发光方式,每个像素(Pixel)单元自主发光;因而非常容易出现面板不同区域的Pixel发光不均匀的问题。例如蒸镀不均匀、不同颜色的OLED衰减快慢不同等因素,都会导致面板不同区域的Pixel发光不均匀的问题,从而导致面板整体的显示不均匀,严重影响产品质量。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,本实施例中的显示面板对亮度较低、衰减较快的OLED器件进行补偿,提升所述OLED器件所在的像素单元的发光亮度,从而改善了面板整体的亮度均匀性,同时大大提高了能量的利用效率。
为解决上述问题,第一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板包括:基板;阳极层,设置于所述基板上;像素限定层,设置于所述阳极层和所述基板上;以及OLED器件,设置于所述像素限定层中;其中,所述像素限定层中还设置有光电转换器,所述光电转换器设置在所述阳极层上且邻近所述OLED器件设置。
根据本发明一些实施例,所述光电转换器为太阳能电池或光电探测器。
根据本发明一些实施例,所述光电转换器包括正极、负极以及设置在二者之间的N型半导体层和P型半导体层,其中,所述N型半导体与所述负极接触,所述P型半导体与所述正极接触。
根据本发明一些实施例,所述光电转换器与所述OLED器件电性连接,对所述OLED器件进行补偿。
根据本发明一些实施例,还包括与所述光电转换器电性连接的像素驱动电路,通过监测所述光电转换器产生的电信号,所述像素驱动电路对所述OLED器件进行补偿。
根据本发明一些实施例,所述光电转换器的宽度小于所述阳极或所述基板的源漏极的宽度。
根据本发明一些实施例,所述光电转换器设置于所述显示面板的中心区、边缘区或弯折区,以对位于所述中心区、所述边缘区或所述弯折区的所述OLED器件提供补偿。
根据本发明一些实施例,所述基板还包括配向层、缓冲层、多晶材料层、第一绝缘层、第一走线层、第二绝缘层、第二走线层、电介质层、源漏走线层和平坦层。
根据本发明一些实施例,所述平坦层上开设有通孔,所述阳极层通过所述通孔与所述源漏走线层连接。
第二方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置采用如第一方面中任一所述的显示面板制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的