[发明专利]掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板

说明书

本申请公开了一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板，方法包括依次形成有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层及平坦化的层间绝缘层；在层间绝缘层上形成光刻胶，对第一区域位置的光刻胶半曝光，对第二区域位置的光刻胶全曝光，并去除被曝光的光刻胶；在第一区域位置刻蚀层间绝缘层预定深度形成线槽，在第二区域位置刻蚀延伸至有源层的过孔；在所述层间绝缘层上形成第一金属薄膜，研磨所述第一金属薄膜至暴露所述层间绝缘层。本方案中在形成过第一金属薄膜后，通过研磨的方式形成源漏极图案，克服了干法刻蚀的缺陷，提高了产品良率，此外，源漏极图案精度高，可以降低串扰。

技术领域

本发明一般涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)是显示器件中的关键部件，其广泛应用于液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)、发光二极管(Light Emitting Diode；LED)显示器、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)显示器。

在TFT的制作过程中，一般通过干法刻蚀(DryEtch)的方式对金属层进行图案化，形成源漏极图案，随着像素密度(Pixel Per Inch； PPI)的不断提高，通过干法刻蚀形成源漏极图案的缺陷越来越多，造成产品良率不高的问题。

发明内容

本申请期望提供一种掩膜板、TFT的制备方法、TFT及阵列基板，用以克服现有技术中通过干法刻蚀形成源漏极图案的缺陷越来越多，造成产品良率不高的问题。

本发明提供一种掩膜板，包括板体，所述板体上具有多图案区，各所述图案区具有第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第二区域相互连接；

所述第一区域用于半曝光；

所述第二区域用于全曝光。

进一步地，所述第一区域为光栅图案。

进一步地，所述第二区域为通孔图案。

第二方面，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

依次形成有源层、第一栅绝缘层、第一栅极层、第二栅绝缘层、第二栅极层及平坦化的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成光刻胶，采用权利要求1-3任一项所述的掩膜板，对所述第一区域位置的光刻胶半曝光，对所述第二区域位置的光刻胶全曝光，并去除被曝光的光刻胶；

在第一区域位置刻蚀层间绝缘层预定深度形成线槽，在第二区域位置刻蚀延伸至有源层的过孔；

在所述层间绝缘层上形成第一金属薄膜，研磨所述第一金属薄膜至暴露所述层间绝缘层。

进一步地，在形成有源层之后，至形成层间绝缘层之前，至少形成一层平坦化层。

进一步地，在所述第一栅极层与所述第二栅绝缘层之间形成所述平坦化层。

进一步地，所述第二栅绝缘层为平坦化的绝缘层；

在所述第二栅绝缘层上形成栅线槽；

在所述第二栅绝缘层上形成第二金属层，研磨所述第二金属层至暴露所述第二栅绝缘层。

进一步地，所述第一金属薄膜的材料为Cu、Al、Mo、Ag和Ti 中的至少任一种。

第三方面，本发明提供一种薄膜晶体管，由上述的制备方法形成。

第四方面，本发明提供一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。