[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种能够较好控制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多条第1布线；多条第2布线，与多条第1布线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1布线及多条第2布线之间，且具备阻变层、及包含硫族元素的非线性元件层。在置位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给置位脉冲。在复位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给复位脉冲。在第1动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给第1脉冲。第1脉冲具备比置位脉冲的振幅及复位脉冲的振幅中的较大振幅更大的振幅，或者具备与较大的振幅相同的振幅及比置位脉冲的脉冲宽度更大的脉冲宽度。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2019-161833号(申请日：2019年9月5日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知一种半导体存储装置，具备：多条第1布线；多条第2布线，与多条第1布线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1布线及多条第2布线之间，具备阻变层、及包含硫族元素的非线性元件层。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种能够较好控制的半导体存储装置。

一实施方式的半导体存储装置具备：多条第1布线；多条第2布线，与多条第1布线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1布线及多条第2布线之间，具备阻变层、及包含硫族元素的非线性元件层。在置位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给置位脉冲。在复位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给复位脉冲。在第1动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给第1脉冲。第1脉冲具备比置位脉冲的振幅及复位脉冲的振幅中的较大振幅更大的振幅，或者具备与较大的振幅相同的振幅及比置位脉冲的脉冲宽度更大的脉冲宽度。

一实施方式的半导体存储装置具备存储芯片，该存储芯片具备：多条第1布线；多条第2布线，与多条第1布线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1布线及多条第2布线之间，具备阻变层、及包含硫族元素的非线性元件层。根据包含地址数据的第1命令集的输入，执行包含第1动作及第2动作的第1序列。在第1动作中，存储芯片的温度上升，在第2动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给第1脉冲。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的一部分构成的示意性功能框图。

图2是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性电路图。

图3是表示该半导体存储装置的构成的示意性立体图。

图4是表示该半导体存储装置的构成的示意性立体图。

图5是表示该半导体存储装置的一部分构成的示意性俯视图。

图6是图5的A中所示的部分的示意性放大图。

图7是将图6所示的构造沿A-A′线切断且以箭头方向观察所得的示意性剖视图。

图8是将图7所示的构造沿B-B′线切断且以箭头方向观察所得的示意性剖视图。

图9(a)、(b)是与图7及图8的一部分对应的示意性剖视图。

图10是表示该半导体存储装置的存储单元MC的电流-电压特性的示意性曲线图。

图11是表示读出动作、写入动作等中的选择位线BL及选择字线WL的电压的示意性曲线图。

图12是表示读出动作时供给至位线BL及字线WL的电压的示意图。

图13是表示置位动作时供给至位线BL及字线WL的电压的示意图。