[发明专利]一种半导体厂房洁净室有效

专利信息
申请号: 202010108859.X 申请日: 2020-02-21
公开(公告)号: CN111305612B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 王峻毅;洪震 申请(专利权)人: 上海振南工程咨询监理有限责任公司
主分类号: E04H5/02 分类号: E04H5/02;F24F7/007;F24F13/28;B08B5/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201700 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 厂房 洁净室
【权利要求书】:

1.一种半导体厂房洁净室,包括有洁净工作室(1),且所述洁净工作室(1)内设置有送风系统(6)、回风系统(7)以及过滤系统,其特征在于:所述洁净工作室(1)包括有用于实现高精度加工的洁净作业区(2)以及用于完成半导体前制程加工的加工服务区(3),且所述洁净作业区(2)与加工服务区(3)之间设置有分隔区(4);所述分隔区(4)包括有垂直送风区(41)和水平送风区(42),所述垂直送风区(41)和水平送风区(42)分别形成有用于分隔洁净作业区(2)和加工服务区(3)的纵向气流墙和横向气流墙,所述纵向气流墙和横向气流墙均竖直送风,且所述纵向气流墙与横向气流墙之间形成有间隔区间(43);所述洁净作业区(2)内设置有矢量送风系统和单向送风系统,所述矢量送风系统和单向送风系统分别形成有矢量流向的洁净气流和单向流向的洁净气流,且所述矢量送风系统和单向送风系统替换使用;所述加工服务区(3)内设置有乱流送风系统,所述乱流送风系统形成有非单一流向的洁净气流;

所述纵向气流墙形成于分隔区(4)靠近加工服务区(3)的一侧,所述横向气流墙形成于分隔区(4)靠近洁净作业区(2)的一侧,且所述垂直送风区(41)和水平送风区(42)相互远离的外侧均设置有挡帘(44);所述分隔区(4)的底板上位于挡帘(44)的位置处开设形成有下陷槽(45),所述挡帘(44)的底部容纳于所述下陷槽(45)内;所述间隔区间(43)的底板上设置有抽风口(46),所述抽风口(46)沿纵向气流墙和横向气流墙的水平走向延伸设置,且所述抽风口(46)连接有独立于回风系统(7)的混风系统(47),所述混风系统(47)包括有负压装置(471)、过滤装置(472)以及排风装置(473)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:所述洁净工作室(1)包括有外风淋室(11)和内风淋室(12),所述外风淋室(11)设置于加工服务区(3)的入口处,所述内风淋室(12)设置于分隔区(4)处;所述内风淋室(12)包括有人行风淋通道(121)和车行风淋通道(122),且所述人行风淋通道(121)和车行风淋通道(122)的出入口处分别设置有独立配合使用的互锁出入门。

3.根据权利要求2所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:所述内风淋室(12)位于分隔区(4)与洁净工作室(1)的侧墙相靠近的一侧,且所述洁净作业区(2)内的洁净气流矢量流向由内风淋室(12)的斜对角侧流向内风淋室(12)一侧。

4.根据权利要求2所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:所述内风淋室(12)位于分隔区(4)与洁净工作室(1)的侧墙相靠近的一侧,并在所述加工服务区(3)内混合设置乱流送风系统和矢量送风系统,且所述加工服务区(3)内的洁净气流矢量流向由内风淋室(12)一侧流向内风淋室(12)的斜对角侧,所述矢量流向的洁净气流流速小于非单一流向的洁净气流流速。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:与所述车行风淋通道(122)配合使用有半导体部件承载车(8),所述半导体部件承载车(8)包括有推车本体(81),且所述推车本体(81)上水平搭接有承载板(82),所述承载板(82)上均匀开设形成有通风孔(821)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:所述过滤系统包括有第一过滤单元(51)和第二过滤单元(52),且所述第一过滤单元(51)和第二过滤单元(52)分别用于过滤洁净作业区(2)和加工服务区(3)的回风气流。

7.根据权利要求6所述的一种半导体厂房洁净室,其特征在于:所述过滤系统包括有高效空气过滤器,所述高效空气过滤器包括有根据洁净度需求选择配比构成的HEPA滤网,所述HEPA滤网的滤网层包括有PP滤纸、玻璃纤维、复合滤纸、熔喷涤纶无纺布以及熔喷玻璃纤维,且用于过滤加工服务区(3)的回风气流的所述第二过滤单元(52)还包括有化学过滤器。

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