[发明专利]基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体及其制备和应用

权利要求书

1.一种基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体，其特征在于，所述有机异质微纳米晶体由一种多晶相分子组成，有机异质微纳米晶体中的多晶相分子至少具有两种晶相，各晶相之间形成异质结构，所述多晶相分子的结构式为以下结构式中的一种：

、或

；

其中，R₁、R₂和R₃分别独立地选自氢、C1-C6烷基、氰基、C1-C6烷氧基或卤素。

2.根据权利要求1所述的基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体，其特征在于：R₁、R₂和R₃分别独立地选自氢、甲基、氰基、甲氧基或卤素。

3.根据权利要求1所述的基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体，其特征在于：所述晶相包括一维晶相和二维晶相。

4.一种权利要求1-3中任一项所述的基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将多晶相分子溶于良有机溶剂中，获得有机半导体分子储备液；

(2)在15-35℃下，将所述有机半导体分子储备液加入不良溶剂中混匀，将得到的混合液静置2～30min，然后去除溶剂，得到所述基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体；

所述良有机溶剂为二氯甲烷；

所述不良溶剂为甲醇和异丙醇或乙醇和异丙醇。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述有机半导体分子储备液的浓度为0 .5～10mmol/L。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中的良有机溶剂与步骤(2)中的不良溶剂的体积比为1-10:1-10。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，将得到的混合液静置2～30min后，滴到基底表面，并使良有机溶剂和不良溶剂从基底表面挥发完全。

8.权利要求1-3中任一项所述的基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体在制备光电子器件中的应用。