[发明专利]一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.鳍型结构的功率MOSFET，其特征在于，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅墙顶部和BPSG层顶部的金属布线层；鳍型硅墙包含成型在所述衬底正面上的外延层、成型在所述外延层上的P-Well层和成型在所述P-Well层正面的N+区域或/和P+区域；所述N+区域或/和P+区域用金属布线层连接。

2.如权利要求1所述的鳍型结构的功率MOSFET，其特征在于，P+区域与N+区域平面交叉排列。

3.如权利要求1所述的鳍型结构的功率MOSFET，其特征在于，鳍型硅墙的表面低于所述BPSG层的表面。

4.权利要求1至3任一项权利要求所述的鳍型结构的功率MOSFET的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在衬底的外延层的正面淀积四层介质层，其中第一介质层为SiO₂介质层，淀积在外延层的正面上；第二介质层为Si₃N₄介质层，淀积在第一介质层的正面上；第三介质层为SiO₂介质层，淀积在第二介质层的正面上；第四介质层为Si₃N₄介质层，淀积在第三介质层的正面上；

步骤2：第一次光刻/刻蚀，蚀刻掉部分第四介质层Si₃N₄介质层，用第四介质层Si₃N₄介质层制作 出 台阶，相邻台阶之间的第四介质层Si₃N₄介质层被蚀去，露出所述第三介质层SiO₂介质层；

步骤3：在表面淀积多晶硅并Etchback，在台阶处形成多晶硅侧墙；

步骤4：用磷酸去除第四层介质层Si₃N₄介质层，保留多晶硅侧墙；

步骤5：用多晶硅侧墙作为硬质掩模（后续刻蚀的屏蔽层），刻蚀掉多晶硅侧墙以外区域的第三介质层、第二介质层和第一介质层，保留多晶硅侧墙正下方的第三介质层、第二介质层和第一介质层，形成夹心ONO结构，所有的夹心ONO结构相互平行且间隔；

步骤6：以夹心ONO结构作为硬质掩模，蚀刻外延层至规定的深度，同时蚀刻掉夹心ONO结构上的多晶硅侧墙；深槽作为功率MOSFET的栅极区域；

步骤7：深槽处进行栅氧化及掺杂多晶硅淀积，再Etchback，使得掺杂多晶硅保留在深槽里；掺杂多晶硅层的表面低于夹心ONO结构的表面；

步骤8：在晶圆正面进行BPSG淀积，再Etchback或者化学机械抛光（CMP），保留掺杂多晶硅层的正面上的BPSG层，同时去除夹心ONO结构上的第三介质层，露出夹心ONO结构上的第二介质层，BPSG层的表面与夹心ONO结构的第二介质层的表面几乎是平的；

步骤9：去除夹心ONO结构上的第二介质层和第一介质层，使夹心ONO结构中覆盖的外延层露出来；BPSG层的表面高于夹心ONO结构中的外延层的表面；

步骤10: 在露出的夹心ONO结构中的外延层的正面分别进行P型离子注入/推进和N型离子注入/推进,形成P-Well层和N+Source层，其中，N+Source层位于P-Well层上方；

步骤11：在N+Source层表面，再光刻/P+注入，平面交叉形成P+区域；此P+区域的结深应超过N+Source的结深，直接连通到P-Well层；

步骤12、在所有的鳍型硅墙的顶部和BPSG层的顶部淀积金属布线层，形成器件的源极。