[发明专利]适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法

说明书

本发明提供了一种适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法，方法包括以下步骤：获取信号层的布线情况，根据信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与信号层的连接区域；根据连接区域确定DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径；在满足焊接可靠性要求的情况下，挖空DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚，配合通孔路径制备形成新的接地层；使用新的接地层进行主板制备。本发明还提供了基于上述设计方法制备的卡槽和主板。本发明通过分析信号连接的区域，分区域确定DIMM对地的连接，从而降低每个DIMM地管脚的连接层数。本发明解决了透锡不良造成SI性能降低的问题，在不增加成本的前提下保证了主板的SI性能。

技术领域

本发明属于主板设计领域，具体涉及一种基于双列直插式存储模块的主板设计方法以及一种主板。

背景技术

随着系统速率的提高，尤其在服务器系统中，高速并行总线DDR不断更新换代。导致SI(SignalIntegrity，信号完整性)的重要性不断提高，甚至是高速平行总线DDR的设计成败的关键。对于服务器主板，由于成本因素，DIMM(DualInlineMemoryModules，双列直插式存储模块)普遍采用插装的封装方式，其焊接工艺是波峰焊。在多层板设计中，为了保证DDR走线和电源的良好回流，即良好的SI性能，DIMM的电源和地管脚与印制电路板的很多层相连，通常超过三层。但是进行波峰焊时，会造成焊接时上锡不良等问题，降低可靠性。这是由于连接层数过多，尤其是大的铜面连接过多，会导致在过波峰焊时，由于局部散热过快，锡还未达到要求的高度就过早固化，形成上锡不良。

目前解决焊接可靠性与SI性能冲突的方案有如下三种：方案一，更换为贴片封装的DIMM，来代替插装的DIMM；方案二，由厂家提高焊接可靠性；方案三，牺牲部分SI性能，保证焊接可靠性。上述三种解决方案，各有缺点。方案一，更换封装会提升整体成本，通常在产品设计中不采用。方案二，提高焊接可靠性至超过一般厂家的能力，从目前的实践来看最终还是会转化为成本的提升。方案三，降低SI性能意味着降低了内存信号质量，严重的甚至影响系统功能。

发明内容

本发明目的在提供一种适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法，以解决现有技术中存在的SI性能较低的技术缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种适用于双列直插式存储模块的主板设计方法，包括以下步骤：

获取信号层的布线情况，根据信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与信号层的连接区域；

根据连接区域确定DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径；

在满足焊接可靠性要求的情况下，挖空DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚，配合通孔路径制备形成新的接地层；

使用新的接地层进行主板制备。

优选地，满足焊接可靠性要求的情况为DIMM模块连接的接地层不大于3层。

优选地，DIMM模块连接的接地层为3层。

优选地，挖空的地管脚与周围其他接地层的平面距离大于8mil。

依托于上述设计方法，本发明还提供了一种适用于双列直插式存储模块的卡槽，，采用上述任一的方法设计制成适用于双列直插式存储模块的卡槽

依托于上述卡槽，本发明还提供了一种适用于双列直插式存储模块的主板，包括主板本体，主板本体上的双列直插式存储模块卡槽为上述的适用于双列直插式存储模块的卡槽。

本发明具有以下有益效果：

本发明通过分析信号连接的区域，分区域确定DIMM对地的连接，从而降低每个DIMM地管脚的连接层数。本发明解决了透锡不良造成SI性能降低的问题，在不增加成本的前提下保证了SI性能。

下面将参照附图，对本发明作进一步详细的说明。