[发明专利]一种用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法

权利要求书

1.一种用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)制备导电聚合物层：在镀金基层上制备导电聚合物层，获得导电聚合物/镀金基层；

(2)制备免疫电极：在所述导电聚合物层上制备抗体或抗原层，获得抗体或抗原/导电聚合物/镀金基层；

(3)表面多孔修饰：对抗体/导电聚合物/镀金基层的抗体层表面进行多孔修饰，

(4)形成免疫电极体系：将裸镀金基层与多孔保护层/抗体/导电聚合物/镀金基层的外侧进行固定，得到免疫电极体系；

采用该免疫电极体系的微流体检测芯片的反应腔包括反应腔一和反应腔二，所述反应腔一内有标记物；所述反应腔二内设有免疫电极体系。

2.根据权利要求1所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的所述抗体或抗原层为重组新型冠状病毒抗原；所述标记物为PS微球标记的单克隆抗人IgG抗体。

3.根据权利要求2所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述重组新型冠状病毒抗原为重组2019-nCoV S蛋白-南京金斯瑞生物-T80301，所述单克隆抗人IgG抗体为鼠抗人IgG单抗-南京金斯瑞生物-V90401。

4.根据权利要求1所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的所述抗体或抗原层为重组新型冠状病毒抗原；所述标记物为PS微球标记的单克隆抗人IgM抗体。

5.根据权利要求4所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述重组新型冠状病毒抗原为重组2019-nCoV S蛋白(Recombinant 2019-nCoV Spike-RBDProtein)-南京金斯瑞生物-T80301，所述单克隆抗人IgM抗体为鼠抗人IgM单抗-杭州隆基生物-MS00704。

6.根据权利要求1所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的所述抗体层为单克隆抗人IgM抗体和单克隆抗人IgG抗体；所述标记物为PS微球标记的重组新型冠状病毒抗原。

7.根据权利要求6所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述单克隆抗人IgM抗体为鼠抗人IgM单抗-杭州隆基生物-MS00704；所述单克隆抗人IgG抗体为鼠抗人IgG单抗-南京金斯瑞生物-V90401；所述重组新型冠状病毒抗原为重组2019-nCoVN蛋白(Recombinant 2019-nCoV Nucleocapsid Protein)-南京金斯瑞生物-T80103和重组2019-nCoV S蛋白(Recombinant 2019-nCoV Spike-RBD Protein)-南京金斯瑞生物-T80301。

8.根据权利要求2-7任一项所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述步骤(3)对抗体或抗原层表面进行多孔修饰的方法是采用聚苯乙烯或聚苯胺或聚丙烯酸叔丁酯或聚碳酸酯或聚乙烯醇为成膜试剂材料，氯仿或四氢呋喃或苯或CS₂为溶剂，将成膜试试剂材料与溶剂混合均匀后滴加至抗体或抗原/导电聚合物/镀金基层的表面，使得抗体或抗原/导电聚合物/镀金基层的抗体层表面获得多孔保护层。

9.根据权利要求8所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，所述步骤(1)具体包括以下步骤：

S11将镀金后的镀金基层用乙醇和水清洗，并晾干备用；

S12将所述镀金基层置于反应液中在氮气氛围、冰浴条件下进行过夜无光照反应，过夜反应的时间为10～16h，然后用纯水冲洗干净、氮气吹干，在镀金基层表面修饰导电聚合物，获得导电聚合物/镀金基层。

10.根据权利要求9所述的用于检测新型冠状病毒的免疫电极制备方法，其特征在于，采用该免疫电极体系的微流体芯片，从下往上依次包括下层芯片、中层芯片和上层芯片；所述下层芯片、中层芯片与上层芯片相配合界定出封闭的微流道和多个相互独立的腔室；所述微流道和腔室均贯穿设置在所述中层芯片上；所述上层芯片上设有进样口，所述进样口通过所述微流道与所述腔室相连通；该微流体检测芯片还包括免疫电极体系，所述免疫电极体系包括标准电极和工作电极，所述标准电极包括镀金基层，所述工作电极包括镀金基层、导电聚合物层和抗体或抗原层，所述镀金基层、导电聚合物层和抗体或抗原层从下至上依次贴合；所述免疫电极分为设置在所述上层芯片的背面的上层免疫电极和设置在所述下层芯片的正面的下层免疫电极；所述上层免疫电极和所述下层免疫电极之间有间隙；所述上层免疫电极在所述上层芯片的背面和所述下层免疫电极在所述下层芯片的正面均与所述中层芯片的所述反应腔所在的位置相对应地设置，所述上层免疫电极和所述下层免疫电极通过所述反应腔相连通，所述上层免疫电极为标准电极，所述下层免疫电极为工作电极；所述反应腔为所述腔室的一部分；所述腔室还包括废液腔，所述反应腔与所述废液腔均设置在所述中层芯片上，所述微流道包括流道一，所述反应腔与所述废液腔之间的所述流道一上设有截制阀位点二；所述微流道还包括流道二，所述反应腔一与所述反应腔二之间的所述流道二设有截制阀位点一，所述上层免疫电极在所述上层芯片的背面和所述下层免疫电极在所述下层芯片的正面均与所述中层芯片的所述反应腔二所在的位置相对应地设置，所述上层免疫电极和所述下层免疫电极通过所述反应腔二相连通。