[发明专利]集成电路电磁发生干扰分析仪在审
| 申请号： | 202010110501.0 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111398776A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑益民;王逸晨;方旭 | 申请（专利权）人： | 浙江诺益科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 电磁 发生 干扰 分析 | ||
1.集成电路电磁发生干扰分析仪，包括静电放电模块、快速群脉冲模块、射频传导发生模块以及通讯接口，其特征在于：所述静电放电模块的输出端与快速群脉冲模块的输入端连接，所述快速群脉冲模块的输出端与射频传导发生模块的输入端连接，所述射频传导发生模块的输出端与通讯接口的输入端连接，所述射频传导发生模块包括信号发生器、功率放大器、耦合网络以及IC端，所述信号发生器的输出端与功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与耦合网络的输入端连接，所述耦合网络的输出端与IC端的输入端连接，所述IC端的外设配有与其相匹配的探头。
2.根据权利要求1所述的集成电路电磁发生干扰分析仪，其特征在于：所述通讯接口配有RS232接口和RS485接口。
3.根据权利要求1所述的集成电路电磁发生干扰分析仪，其特征在于：所述通讯接口还配有GPIB接口、USB接口以及网口。
4.根据权利要求1所述的集成电路电磁发生干扰分析仪，其特征在于：所述探头包括同轴线连接器(1)、屏蔽层(2)、屏蔽延伸层(3)、同轴线(4)、中心导体(5)以及介质(6)。
5.根据权利要求4所述的集成电路电磁发生干扰分析仪，其特征在于：所述同轴线连接器(1)位于探头的顶部且与探头固定连接，所述屏蔽层(2)为探头外部的线套，所述屏蔽层(2)的内部开设有空腔，所述屏蔽层(2)内腔的一侧固定连接有同轴线(4)，所述屏蔽层(2)内腔的另一侧固定连接有介质(6)。
6.根据权利要求5所述的集成电路电磁发生干扰分析仪，其特征在于：所述中心导体(5)设置在屏蔽层(2)的内部，所述中心导体(5)位于同轴线(4)和介质(6)两者之间的中心位置，所述中心导体(5)分别与同轴线(4)和介质(6)固定连接，所述中心导体(5)的底部延伸至屏蔽层(2)的外部，所述屏蔽层(2)底部的靠两侧位置均固定连接有屏蔽延伸层(3)。
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