[发明专利]薄膜晶体管液晶显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010110578.8 | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111435210A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 马健;胡金良;任文明;张然;贾海阳 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1339;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 液晶显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本公开提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制备方法。该显示面板具有阵列基板、对向基板和封框胶,并且包括衬底层、第一钝化保护层、有机膜层、第二钝化保护层,其中第二钝化保护层在衬底上的正投影延伸至封框胶外的外部区,并且显示面板还包括隔水层,其覆盖第二钝化保护层的在衬底层上的正投影在外部区中的部分,使得第二钝化保护层不与显示面板的外部环境接触。本公开提供的薄膜晶体管液晶显示面板,可以在防止有机膜排气影响TFT性能的同时,保证显示面板在严苛状态下的防水性。
技术领域
本公开涉及薄膜晶体管液晶显示领域,特别是涉及一种薄膜晶体管液 晶显示面板及其制备方法。
背景技术
氧化物薄膜晶体管正在逐渐用于薄膜晶体管(TFT)液晶显示面板中。 氧化物薄膜晶体管采用氧化物半导体作为有源层材料取代薄膜晶体管中 常用的α-Si半导体,具有迁移率高、大面积均匀性好、制备工艺温度低 等优势,有可能用于下一代平板显示中。
然而,不能够简单地将相关技术中的显示面板中的α-Si薄膜晶体管 替换为氧化物薄膜晶体管。在基于薄膜晶体管的显示面板中,一般具有许 多膜层,其中一些是有机膜。有机膜会在使用中出现排气(outgas,也称为 脱气)的问题,即向其周围放出升华气体。这样的气体对于α-Si薄膜晶体 管中的α-Si半导体有源层影响很小,但在基于氧化物薄膜晶体管的显示 面板中,排气可能与氧化物半导体有源层发生相互作用,从而会对氧化物 薄膜晶体管的性能产生严重不利影响。
进而,对于显示面板中的包含容易受有机膜排气损害的部件的薄膜晶 体管来说,存在着减小或防止排气影响的需要。
此外,对于薄膜晶体管液晶显示面板在严苛条件下保持性能的要求越 来越高。目前的薄膜晶体管液晶显示面板需要在高温高压高湿试验 (Pressure Cooker Test,PCT)中有更好的表现。
对于薄膜晶体管液晶显示面板,存在着改进的需要。
发明内容
在一个方面,本公开提供一种薄膜晶体管液晶显示面板,所述显示面 板具有有效显示区和边框区,并且包括:
阵列基板、与所述阵列基板相对的对向基板,所述阵列基板包括衬底 层和在所述衬底层靠近所述对向基板一侧的薄膜晶体管;
在所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶层和隔垫物;和
在所述边框区中将所述阵列基板和所述对向基板粘合的封框胶,所述 封框胶在所述衬底层上的正投影将所述边框区划分为所述封框胶的正投 影包围的内部区、所述封框胶的正投影所在的封框胶区,和所述封框胶的 正投影外侧的外部区,
其中,所述显示面板还包括在所述薄膜晶体管靠近所述对向基板一侧 的第一钝化保护层、在所述第一钝化保护层靠近所述对向基板一侧的有机 膜层和在所述有机膜层靠近所述对向基板一侧的第二钝化保护层,其中所 述有机膜层的排气向所述第二钝化保护层的渗透性高于向所述第一钝化 保护层的渗透性,
其中,所述第二钝化保护层在所述衬底层上的正投影延伸至所述外部 区,
其中,所述显示面板还包括隔水层,所述隔水层覆盖所述第二钝化保 护层的在所述衬底层上的正投影在所述外部区中的部分,使得所述第二钝 化保护层不与所述显示面板的外部环境接触。
可选地,所述薄膜晶体管是包含氧化物薄膜晶体管。
可选地,所述显示面板还包括在所述有效显示区中在所述第二钝化保 护层靠近所述对向基板一侧的像素电极层,并且
所述隔水层与所述像素电极层同层设置。
可选地,所述隔水层材料包括氧化铟锡。
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