[发明专利]具有JFET仿真的增强型启动电路

权利要求书

1.一种启动电路，包括：

增强型晶体管，所述增强型晶体管包括耦接到启动电路输入的漏极、耦接到第一节点的源极和耦接到第二节点的栅极；

电流限制电路，所述电流限制电路包括：

电阻器，所述电阻器具有耦接到所述第一节点的第一端子以及耦接到启动电路输出节点的第二端子，以便在所述第一节点处生成表示通过所述增强型晶体管的第一电路路径的电流的电流感测电压信号；以及

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦接到所述第二节点的漏极、耦接到所述启动电路输出节点的源极以及耦接到所述第一节点的栅极，以便基于所述电流感测电压信号控制所述第二节点与所述启动电路输出节点之间的第二电流路径以控制所述第一电路路径的电流的上限；以及

电压调节电路，所述电压调节电路耦接到所述启动电路输出节点和所述第二节点，并且被配置为控制所述第二节点的电压以调节所述启动电路输出节点的启动电路输出电压。

2.根据权利要求1所述的启动电路，还包括预充电电路，所述预充电电路包括：

耦接到所述启动电路输入或电源节点的预充电电路输入；

耦接到所述第二节点的预充电电路输出；以及

耦接在所述预充电电路输入和所述第二节点之间以向所述第二节点提供电流的第三晶体管或电流源。

3.根据权利要求2所述的启动电路，其中：

所述预充电电路包括所述第三晶体管，所述第三晶体管具有耦接到预充电电路输入的漏极、耦接到所述预充电电路输出的源极以及耦接到第三节点的栅极；以及

所述电流限制电路包括第四晶体管，所述第四晶体管具有耦接到所述第三节点的漏极、耦接到所述启动电路输出节点的源极以及耦接到所述第一节点的栅极。

4.根据权利要求3所述的启动电路，还包括阻断电路，所述阻断电路包括：

第一阻断晶体管，所述第一阻断晶体管具有耦接到所述启动电路输出节点的源极、耦接到所述第二节点的栅极以及耦接到所述第二节点的漏极；以及

第二阻断晶体管，所述第二阻断晶体管具有耦接到所述启动电路输出节点的源极、耦接到所述第三节点的栅极以及耦接到所述第三节点的漏极。

5.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述电压调节电路包括：

电压源，所述电压源具有被配置为提供参考电压信号的输出；

比较器，所述比较器具有：

耦接到所述启动电路输出节点的非反相输入；

耦接所述电压源的所述输出以接收所述参考电压信号的反相输入；以及

耦接到电压调节输出节点的输出；

第五晶体管，所述第五晶体管包括耦接到所述电压调节输出节点的栅极、耦接到所述第二节点的漏极以及耦接到参考节点的源极；以及

第六晶体管，所述第六晶体管包括耦接到所述电压调节输出节点的栅极、耦接到所述第三节点的漏极以及耦接到所述参考节点的源极。

6.根据权利要求5所述的启动电路，其中：

所述增强型晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第一阻断晶体管和所述第二阻断晶体管是第一管芯中的氮化镓晶体管；并且

所述电压源和所述比较器位于第二管芯中。

7.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述增强型晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第一阻断晶体管和所述第二阻断晶体管是氮化镓晶体管。

8.根据权利要求1所述的启动电路，还包括阻断电路，所述阻断电路包括阻断晶体管，所述阻断晶体管具有耦接到所述启动电路输出节点的源极、耦接到第二节点的栅极以及耦接到所述第二节点的漏极。

9.根据权利要求1所述的启动电路，其中所述增强型晶体管具有漏极至栅极电容和栅极至源极电容，所述栅极至源极电容大于所述漏极至栅极电容，并且所述栅极至源极电容与所述漏极至栅极电容的比率小于1000。