[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

权利要求书

1.基片处理装置，其特征在于，包括：

贮存处理液的液处理槽；

使浸渍于所述液处理槽的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动机构；

向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气的释放部；和

使所述释放部释放所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升的控制部。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述释放部包括多层配置的多个喷嘴，

所述控制部使从所述释放部释放所述蒸气的动作从所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴起依次开始。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述控制部随着所述多个基片的上升而将所述多个喷嘴中释放所述蒸气的喷嘴依次切换为配置在更上层的所述喷嘴。

4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述多个喷嘴配置在由所述移动机构导致的所述多个基片的移动路径的侧方，

所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴水平或朝向斜下方地释放所述蒸气。

5.如权利要求2～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述多个喷嘴中配置在最下层的喷嘴，配置在比所述多个基片的上半部分完全从所述液面露出时的所述多个基片的上端的高度位置低的位置。

6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述释放部包括与所述多个基片一起上升的喷嘴。

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述喷嘴设置在所述移动机构。

8.如权利要求6或7所述的基片处理装置，其特征在于：

所述喷嘴配置在所述多个基片的上方，朝向下方地向所述多个基片的上端释放所述蒸气。

9.如权利要求1～8中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述释放部在所述多个基片从所述处理液的液面露出之前开始释放所述蒸气。

10.如权利要求1～9中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括冷却所述处理液的冷却部。

11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

使多个基片浸渍于液处理槽所贮存的处理液的液处理工序；

在所述液处理工序后，使所述多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方处的移动工序；和

在所述移动工序中，向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气的释放工序，

所述释放工序使所述蒸气的释放位置随着所述多个基片的上升而上升。

12.一种存储介质，其是存储有在计算机上动作的控制基片处理装置的程序的计算机可读取的存储介质，该存储介质的特征在于：

所述程序在执行时使计算机控制所述基片处理装置，以使得进行权利要求11所述的基片处理方法。