[发明专利]半导体器件、芯片、设备和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

碳化硅衬底；

在所述碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在所述第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区邻接，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；

与所述第二掺杂区连接的第一金属层；

与所述第一金属层连接的第一电极；以及

在所述碳化硅衬底的远离所述碳化硅漂移层的一侧的第二电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第三掺杂区包围所述第二掺杂区，所述第三掺杂区与所述第一掺杂区邻接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述碳化硅漂移层具有露出所述第二掺杂区的至少一部分的凹槽，所述第一金属层位于所述凹槽内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述碳化硅漂移层还包括：

在所述第一掺杂区中的第四掺杂区，其中，所述第四掺杂区在平行于碳化硅漂移层的上表面的平面上环绕所述第二掺杂区和所述第三掺杂区，所述第四掺杂区与所述第二掺杂区和所述第三掺杂区间隔开，所述第四掺杂区的导电类型与所述第三掺杂区的导电类型相同。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第四掺杂区的掺杂浓度与所述第三掺杂区的掺杂浓度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述碳化硅衬底与所述第二电极之间的第二金属层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述碳化硅漂移层和所述第一电极上的第一钝化层；和

覆盖所述第一钝化层的第二钝化层，所述第二钝化层具有露出所述第一电极的至少一部分的开口。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极包括：

在所述碳化硅漂移层上的第三金属层，其中，所述第三金属层与所述第一金属层连接；以及

在所述第三金属层上的第四金属层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第三掺杂区的掺杂浓度。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的半导体器件，其中，

所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

11.一种芯片，包括：如权利要求1至10任意一项所述的半导体器件。

12.一种设备，包括：如权利要求11所述的芯片。

13.一种半导体器件的制造方法，包括：

在碳化硅衬底上形成碳化硅漂移层，其中，所述碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区；

对所述碳化硅漂移层执行第一掺杂以在所述第一掺杂区中形成具有第二导电类型的第二掺杂区，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

对所述碳化硅漂移层执行第二掺杂以形成具有所述第二导电类型的第三掺杂区，其中，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区邻接，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；

形成与所述第二掺杂区连接的第一金属层；以及

在所述碳化硅衬底的远离所述碳化硅漂移层的一侧形成第二电极，并形成与所述第一金属层连接的第一电极。