[发明专利]修复电路、存储器和修复方法在审
申请号: | 202010111701.8 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN113299336A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 张良 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 200051 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修复 电路 存储器 方法 | ||
1.一种修复电路,配置于包括正常存储区域和冗余存储区域的存储器中,其特征在于,所述冗余存储区域包括与所述正常存储区域紧邻的目标修复单元,所述修复电路用于控制所述目标修复单元对所述正常存储区域中异常存储单元进行修复,所述修复电路包括:
第一控制电路,用于接收行地址中由低到高目标数量位的信号,对所述目标数量位的信号进行处理,得到控制结果并输出;其中,所述目标数量与所述目标修复单元中字线数量相关联;
修复确定模块,与所述第一控制电路的输出端连接,用于接收所述控制结果,并结合所述控制结果输出是否执行修复操作的修复信号。
2.根据权利要求1所述的修复电路,其特征在于,所述修复确定模块包括:
比较电路,用于接收所述行地址中除所述目标数量位的信号之外其余位的信号,并接收熔丝地址,按位对所述其余位的信号与所述熔丝地址进行比较,得到多个比较结果并输出;
第二控制电路,与所述第一控制电路的输出端和所述比较电路的输出端连接,用于接收所述控制结果和所述多个比较结果,对所述控制结果和所述多个比较结果进行处理,输出是否执行修复操作的修复信号。
3.根据权利要求2所述的修复电路,其特征在于,第一控制电路包括:
所述目标数量个非门,各所述非门的输入端分别接收所述行地址中由低到高目标数量位的信号;
与非门,所述与非门的输入端分别与各所述非门的输出端连接,所述与非门的输出端与所述第二控制电路连接,用于输出所述控制结果。
4.根据权利要求3所述的修复电路,其特征在于,所述比较电路包括:
多个同或门,所述多个同或门的数量与所述行地址中除所述目标数量位的信号之外其余位的信号数量相同,各所述同或门的第一输入端接收所述行地址中除所述目标数量位的信号之外其余位的信号,各所述同或门的第二输入端接收对应位的熔丝地址,各所述同或门的输出端输出所述比较结果。
5.根据权利要求4所述的修复电路,其特征在于,所述第二控制电路包括:
与门,所述与门的多个第一输入端分别与各所述同或门的输出端连接,所述与门的第二输入端与所述与非门的输出端连接,所述与门的输出端输出是否执行修复操作的修复信号。
6.根据权利要求1所述的修复电路,其特征在于,如果所述目标修复单元中字线数量为2n,则所述目标数量为n;其中,n为大于等于2的正整数。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的修复电路,其特征在于,如果所述目标数量位的信号均为低电平,则所述修复确定模块输出不执行修复操作的修复信号。
8.一种存储器,其特征在于,包括:
正常存储区域;
冗余存储区域,包括与所述正常存储区域紧邻的目标修复单元;
行地址接收端,用于接收输入至所述存储器的行地址;
如权利要求1至7中任一项所述的修复电路。
9.根据权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述存储器还包括:
熔丝地址存储模块,用于存储所述正常存储区域中异常存储单元对应的字线地址,作为熔丝地址;
其中,所述修复电路用于接收所述熔丝地址,以输出是否执行修复操作的修复信号。
10.根据权利要求9所述的存储器,其特征在于,在所述熔丝地址存储模块与所述目标修复单元对应的存储单元中,不存储异常存储单元中第一根字线的地址。
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