[发明专利]一种硅片的切割工艺及其切割装置

权利要求书

1.一种硅片的切割工艺，包括如下步骤：

S1：通过控制中心，预设好切割形状尺寸，将激光切割机的切割头矫正校正切割头；

S2：将硅片在通过装夹机构装夹在光学实验平台上；

S3：装夹完成的半导体硅片，采用高清晰的CCD相机和摄像镜进行定位；

S4：定位完成以后，通过激光切割机构进行激光切割加工；

S5：切割完成之后，通过清理机构将切割完成后，残留在硅片上的废屑进行清理。

2.一种硅片的切割装置，包括工作台、安装在工作台上的机架、安装在机架上的CNC控制面板以及激光切割装置，其特征在于：还包括定位装置以及通过具有x轴和y轴移动功能的进给机构安装在所述工作台上的装夹部件；所述定位装置和激光切割装置均通过输送连接件安装在机架上，所述定位装置和激光切割装置平行设置且其输出方向均朝向装夹部件；所述装夹部件包括支撑平台、伸缩筒、吸附机构、用于检测支撑平台水平度的水平检测机构以及用于调整支撑平台水平度的调整装置；所述支撑平台中部纵向通孔；各伸缩筒的一端与纵向通孔的边缘固定连接，伸缩筒的另一端安装在进给机构上且随进给机构在x轴和y轴上移动；所述吸附机构包括真空泵和吸盘；所述真空泵安装在工作台上且通过气管与吸盘相连接；所述吸盘安装在纵向通孔内。

3.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述水平检测机构包括安装在支撑平台底部的箱体和压力传感器；所述箱体内部的水平方向上开设有滚道，所述滚道内部设有滚珠，所述滚道的两端均与压力传感器相接触。

4.根据权利要求3所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述调整装置通过安装座安装在进给机构上，所述调整装置包括若干纵向通孔轴线方向均与设置的调整气缸；各调整气缸的输出端均竖直朝向支撑平台；且各调整气缸的输出端均安装有支撑块。

5.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述输送连接件包括运输架、滑轨以及滑动设置在滑轨上的两块滑块，所述运输架一端固定安装在机架顶部；所述运输架底面上设置安装有所述滑轨；所述滑轨两端设置均有限位块；各限位块上均安装有驱动气缸，驱动气缸分别驱动两块滑块在滑轨内部滑动。

6.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述定位装置包括CCD相机、摄像镜头、照明灯以及安装架；所述摄像镜头和CCD相机固定安装在安装架上；所述摄像镜头顶部固定安装有所述CDD相机，所述摄像镜头外围环形固定设有所述照明灯；所述安装架通过连接柱固定安装在一块滑块上。

7.根据权利要求5所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述安装架包括设置在CCD相机两侧的挡板以及安装两挡板顶部的盖板；所述盖板固定安装在输送连接件上；所述盖板安装在远离滑块的连接柱一端，所述盖板底部用于防止相机工作时晃动的弹性挤压件；所述弹性挤压件包括挤压板和弹簧；所述挤压板通过所述弹簧安装在盖板底面；所述CCD相机两侧的挡板下端均设置有用于支撑CCD相机的支持件；所述支持件包括螺杆、螺头以及支持板；所述螺杆穿过挡板且与挡板螺纹连接；所述螺杆的两端分别设置有所述螺头和支持板。

8.根据权利要求2所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：还包括清洗机构；所述清洗机构包括侧壁开设有出水口的清洗回收筒、全覆盖喷淋头以及喷淋立柱；所述清洗回收筒安装在伸缩筒底部的外壁上且通过密封件连接；喷淋立柱固定安装在清洗回收筒底面上，喷淋立柱上安装有引水管；引水管一端穿过清洗回收筒与外界水源连通；另一端通过抽水泵与所述全覆盖喷淋头连通；所述全覆盖喷淋头朝向支撑平台。

9.根据权利要求8所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：所述密封件包括密封圈和压盖，所述密封圈套设在清洗回收筒底板与伸缩筒的连接处；所述压盖将密封圈压紧且下端面与清洗回收筒底面胶接。

10.根据权利要求8所述的一种硅片的切割装置，其特征在于：还包括用于保护激光切割装置的防护圈，所述防护圈套设在激光切割装置的激光头外，且通过连接杆安装清洗筒的底板上。