[发明专利]发光二极管、包括多个发光二极管的像素及其制造方法

权利要求书

1.光电装置(110G，110R)，其包括：

-适合于发射辐射的LED，LED包括有源层(105)，以及

-转换层(134G，134R)，所述转换层在LED的有源层(105)上方延伸，并且包括适合于转换由LED发射的辐射的多个荧光团，

其中，转换层(134G，134R)被镜(133)横向限制，该镜(133)既反射由荧光团转换的辐射，又反射未由荧光团转换的辐射，并且该转换层(134G，134R)垂直地被限定在第一多层反射滤光器(131G，131R)和第二多层反射滤光器(132G，132R)之间，形成谐振法布里-珀罗腔，该法布里-珀罗腔阻挡未由荧光团转换的辐射，并具有对于由荧光团转换的辐射的透射率峰。

2.根据权利要求1所述的光电装置(110G，110R)，其中荧光团是纳米磷光粉。

3.根据权利要求2所述的光电装置(110G，110R)，其中纳米磷光粉选自SrSi₂O₂N₂:Eu²⁺；β-SIALON；Y₃Al₅O₁₂:Ce³⁺；LuAG:Ce；LuYAlMgSiO₃:Ce；SrSi₅N₈:Eu²⁺；(BaSr)₂Si₅N₈:Eu²⁺；(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu²⁺；Sr[LiAl₃N₄]:Eu²⁺；Sr[Mg₃SiN₄]:Eu²⁺；Sr_1-xCa_xS:Eu²⁺。

4.根据权利要求1所述的光电装置(110G，110R)，其中荧光团是3D量子点。

5.根据权利要求4所述的光电装置(110G，110R)，其中3D量子点选自：ZnS；ZnSe；CdS；CdSe；CdZnSe；CdTe；PbS；InP；CuInS₂；CuGaS₂；CuInSe₂；CuGaSe₂；CuInGaSe₂；CuSe；InSe；GaSe或前述合金的任何组合。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的光电装置(110G，110R)，其中由荧光团转换的辐射由第一多层反射滤光器(131G，131R)或第二多层反射滤光器(132G，132R)之一，从称为“提取滤光器”的谐振法布里-珀罗腔提取，其中所述提取滤光器包括用于提取由荧光团转换的辐射的光栅(135G，135R)。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的光电装置(110G，110R)，其中第一多层反射滤光器(131G，131R)在所述有源层(105)和所述转换层(134G，134R)之间延伸，而第二多层反射滤光器(132G，132R)在转换层(134G，134R)上方延伸，并且其中第二多层反射滤光器(132G，132R)对于由荧光团转换的辐射具有大于30％的反射率。

8.包括根据前述权利要求中的任一项所述的第一光电装置(110G)和第二光电装置(110R)的像素，第一光电装置(110G)包括第一LED，并且第二光电装置(110R)包括第二LED，由第二LED的荧光团转换的辐射不同于由第一LED的荧光团转换的辐射。

9.根据权利要求8所述的像素，还包括第三LED(110B)，第三LED(110B)发射的辐射不同于由第一和第二光电装置(110G，110R)的荧光团转换的辐射。