[发明专利]基于MXene/SnO2 有效
申请号: | 202010112302.3 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111272831B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 何婷婷;李晓干;黄宝玉 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22;C01G19/02;C01B32/90;B82Y30/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪;隋秀文 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 mxene sno base sub | ||
1.基于MXene/SnO2异质结的无源无线氨气气体传感器,其特征在于,所述的无源无线氨气气体传感器包括电感部分和无线谐振天线;所述的无线谐振天线主要由气敏材料和叉指电极板组成,所述气敏材料涂覆在所述叉指电极板表面,涂覆厚度为1μm~100μm;所述气敏材料的成分为层状MXene/SnO2异质结材料;所述MXene/SnO2异质结材料为多层状,所述MXene的直径为2μm~4μm,多层厚度为75~100nm,单层厚度为0.6~0.9nm,SnO2的粒径为20~25nm。
2.根据权利要求1所述的基于MXene/SnO2异质结的无源无线氨气气体传感器,其特征在于,所述叉指电极板为基于LTCC工艺的制备的LC谐振器,叉指对数为1~25对,叉指间距为1μm~100μm,线圈匝数为1~10匝。
3.基于MXene/SnO2异质结的无源无线氨气气体传感器的制备方法,其特征在于,步骤如下:
步骤一,制备分层的MXene材料:将LiF和Ti3AlC2按照质量分数比为1:1~6:1混合,边搅拌边缓慢添加进9mol/L的盐酸中,在35℃~80℃的条件下搅拌24~72小时,蚀刻后的粉末用去离子水反复洗涤并离心,直到上清液的pH值5~7,收集离心所得粉末超声处理10~40分钟,将超声后获得的溶液以2000~3000rpm离心0.5~1.5h,收集黑色粉末放置在干燥箱中60℃~80℃干燥6h~24h,得到分层的MXene材料;
步骤二,制备MXene/SnO2异质结材料:将刻蚀好的MXene材料与SnCl4·5H2O按照质量分数比为1:2~2:1混合,溶于去离子水,搅拌成0.01mol/L~0.02mol/L的分散液;将分散液装进反应釜,置于反应炉中,升温速度2~6℃/min,反应温度为160℃~200℃,反应时间为6~18h,降温速度2~6℃/min,将所得黑色产物离心分离后分别用去离子水和无水乙醇反复洗涤,收集洗涤后的粉末放置在干燥箱中60℃~80℃干燥6h~24h,得到MXene/SnO2异质结材料粉末;
步骤三,制备MXene/SnO2无源无线传感器:将步骤二中的MXene/SnO2异质结材料粉末研磨5min~15min,再将研磨后的粉末分散到去离子水中,超声处理成8mg/ml~12mg/ml的分散液;将传感器电感部分用胶带覆盖后,取分散液涂覆到叉指电极板表面,然后放置在干燥箱60℃~80℃干燥6h~24h,再将胶带取下,得到无源无线氨气气体传感器。
4.根据权利要求3所述的基于MXene/SnO2异质结的无源无线氨气气体传感器的制备方法,其特征在于,
步骤二中,MXene和SnCl4·5H2O质量分数比为2:1,搅拌成0.015mol/L的分散液,磁力搅拌时间为20min,升温速度3℃/min,反应温度为180℃,反应时间为12h,降温速度3℃/min,离心的转速为2500r-3000r,离心时间为5min-10min;
步骤三中,超声功率为240W~260W,超声时间为1min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010112302.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 碳涂覆的阳极材料
- 一种SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>复合压敏陶瓷及制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- 一种La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub>-Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>压敏-电容双功能陶瓷材料及其制备方法
- Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>/SnO<sub>2</sub>复合纳米结构、其制备方法及用途
- 一种SnO<sub>2</sub>纳米线阵列的制备方法
- 异质结二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用
- 分级结构的SnO2气敏材料及其制备方法
- 一种山茶花状ZnO/SnO-SnO<base:Sub>2
- 低电阻率Ag/SnO2电工触头材料及其制备