[发明专利]一种芯片之间通信的防漏电电路

权利要求书

1.一种防漏电电路，其特征在于，包括：常供电电源域芯片电路、常供电电源域芯片接口电路以及非常供电电源域芯片电路；常供电电源域芯片电路的输出作为常供电电源域芯片接口电路的输入，常供电电源域芯片接口电路的输出作为非常供电电源域芯片电路的输入；

所述常供电电源域芯片接口电路包括：PMOS、NMOS、与门、PESDMOS、NESDMOS、第一反相器、第二反相器，所述第一反相器与第二反相器串联，电压VDD0作为第一反相器的输入，第一反相器的输出接第二反相器的输入；

第一反相器的输出还接PMOS的栅极，PMOS的漏极通过电阻R0与常供电电源域芯片接口电路的输入端相连，PMOS的源极接PESDMOS的栅极，PESDMOS的栅极和源极短接，PESDMOS的漏极接常供电电源域芯片接口电路输出端；

第二反相器的输出接NMOS的栅极，NMOS的漏极通过电阻R1与常供电电源域芯片接口电路的输入端相连，NMOS的源极接NESDMOS的栅极，NESDMOS的栅极和源极短接，NESDMOS的漏极接常供电电源域芯片接口电路输出端；

所述常供电电源域芯片接口电路的输入端作为与门的第一输入端，所述与门的第二输入端接VDD0，所述与门的输出端作为常供电电源域芯片接口电路输出端。

2.根据权利要求1所述的防漏电电路，其特征在于，R0:R11:3。

3.一种基于权利要求1或2所述防漏电电路的拓扑结构，包括：供电电源、LDO/DC-DC、非常供电电源域芯片MASTER、常供电电源域芯片MCU0、常供电电源域芯片SLAVE以及长供电的电源VDDS，常供电电源域芯片SLAVE输出WAKE信号至常供电电源域芯片MCU0，当WAKE有效时，常供电电源域芯片MCU0输出PD信号给LDO/DC-DC，LDO/DC-DC提供电压VDDM给非常供电电源域芯片MASTER，则非常供电电源域芯片MASTER与常供电电源域芯片MCU0、常供电电源域芯片SLAVE之间开始通信；通信结束后WAKE失效；LDO/DC-DC是一个电压产生或者控制电路；

其特征在于，还包括：防漏电电路，所述防漏电电路置于常供电电源域芯片MCU0的TX0输出通路和非常供电电源域芯片MASTER之间；

或

所述防漏电电路置于SLAVE芯片里面。

4.根据权利要求3所述的防漏电电路拓扑结构，其特征在于，所述防漏电电路置于PCB板上。