[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202010112777.2 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN113299664A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 徐怡华;高克毅;曾名骏;廖宏昇 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 孙静;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
基板,包括第一非弯折区及弯折区;以及
多条导线,从所述第一非弯折区延伸至所述弯折区,
其中至少部分的所述多条导线在所述弯折区中分支成次导线,且所述至少部分的所述多条导线中的每一条具有两条次导线,且所述两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述两条次导线间以不小于3mm的距离彼此分隔。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述基板还包括第二非弯折区,所述弯折区位于所述第一非弯折区及所述第二非弯折区之间。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述多条导线延伸至所述第二非弯折区。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述至少部分的所述多条导线在所述第二非弯折区中延伸,且所述至少部分的所述多条导线中的每一条相应的所述次导线在所述第二非弯折区中收线。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述至少部分的所述多条导线在所述弯折区中延伸,所述至少部分的所述多条导线中的一条与另一条的所述两条次导线于所述弯折区中交错配置。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述至少部分的所述多条导线在所述弯折区中延伸,所述至少部分的所述多条导线中的一条的所述两条次导线与另一条的所述两条次导线于所述弯折区中交错配置。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述弯折区具有内凹。
9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述至少部分的所述多条导线在所述第一非弯折区中分支成所述次导线,且所述至少部分的所述多条导线中的每一条具有所述两条次导线,且所述两条次导线间以不小于1mm的距离彼此分隔。
10.根据权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述两条次导线间以不小于3mm的距离彼此分隔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的