[发明专利]用于去除半导体制造中的微粒的设备和方法

说明书

提供一种包含至少以下步骤的用于从半导体工艺腔室中去除微粒的方法。具有第一极性的电荷通过将电压施加到衬底固持器来积累于衬底固持器的接收表面上。吸引半导体工艺腔室中的具有第二极性的微粒以朝向积累具有第一极性的电荷的衬底固持器的接收表面移动，其中第一极性与第二极性相反。从半导体工艺腔室中去除具有第二极性的微粒。还提供用于从半导体工艺腔室中去除微粒的其它方法。

技术领域

本发明的实施例是涉及一种半导体设备及方法，特别是涉及一种用于去除半导体制造中的微粒的设备和方法。

背景技术

随着半导体装置按比例缩小，集成电路制造的复杂度增加。半导体装置微型化的增长趋势要求严格控制进行半导体工艺的工艺腔室中的清洁度，这导致对工艺腔室中所允许的杂质和/或污染物进行更严格的控制。举例来说，工艺的良率由在层的沉积或刻蚀期间所产生的污染微粒的存在而急剧降低，所述污染微粒可能导致空隙或短路的形成，从而导致半导体制造的性能和可靠性产生缺陷。尽管现有的技术已经足以满足其预期的目的，但所述技术在所有方面并不令人完全满意。

发明内容

根据一些实施例，提供一种包含至少以下步骤的用于从半导体工艺腔室中去除微粒的方法。具有第一极性的电荷通过将电压施加到衬底固持器来积累于衬底固持器的接收表面上。吸引半导体工艺腔室中的具有第二极性的微粒以朝向积累具有第一极性的电荷的衬底固持器的接收表面移动，其中第一极性与第二极性相反。从半导体工艺腔室中去除具有第二极性的微粒。

根据一些替代性实施例，提供一种包含至少以下步骤的用于从半导体工艺腔室中去除微粒的方法。使衬底固持器的导电电极带电以具有第一极性来吸引半导体工艺腔室中的具有第二极性的微粒以朝向衬底固持器移动，其中第一极性与第二极性相反。改变衬底固持器的导电电极以具有第二极性来吸引半导体工艺腔室中的具有第一极性的微粒以朝向衬底固持器移动。从半导体工艺腔室中去除具有第二极性的微粒和具有第一极性的微粒。

根据一些替代性实施例，提供一种包含至少以下步骤的用于从半导体工艺腔室中去除微粒的方法。将半导体工艺腔室中的具有第一极性的微粒吸引到带有第二极性的微粒附着构件的表面，其中微粒附着构件适于在移动方向上移动，第一极性与第二极性相反。当微粒附着构件在移动方向上移动且微粒附着构件的表面经过清洁构件时，由清洁构件将具有第一极性的微粒从微粒附着构件的表面去除。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1是示出根据本公开的一些实施例的含有悬浮于工艺腔室中的污染微粒的半导体系统的示意性剖视图。

图2A和图2B是示出根据本公开的一些实施例的从工艺腔室中去除污染微粒的示意性剖视图。

图3A到图3C是示出根据本公开的一些实施例的从工艺腔室中去除污染微粒的各个阶段的示意性剖视图。

图4是示出根据本公开的一些实施例的操控各个腔室之间的衬底的示意性俯视图。

图5是示出根据本公开的一些实施例的用于去除工艺腔室中的污染微粒的设备的示意性立体图。

图6A是沿着图5中的线A-A'截取且示出根据本公开的一些实施例的从工艺腔室中去除污染微粒的方法的示意性剖视图。

图6B是根据本公开的一些实施例的图6A的示意性侧视图。

图7A是沿着图5中的线A-A'截取且示出根据本公开的一些实施例的从工艺腔室中去除污染微粒的方法的示意性剖视图。

图7B是根据本公开的一些实施例的图6A的示意性侧视图。

附图标号说明

10、10'：衬底；