[发明专利]一种多步协同表面活化低温混合键合方法

权利要求书

1.一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：

步骤一：将含有Cu电极和SiO₂绝缘层图案的混合键合样品室温下浸泡于甲酸溶液中，而后在去离子水中超声清洗；

步骤二：采用等离子体对清洗后的Cu/SiO₂混合键合样品进行活化；

步骤三：将经等离子体活化后的Cu/SiO₂混合键合样品对准贴合后进行热压键合；所述热压键合过程中，热压键合设备采用仅上加热板加热的方法，升温速率为4℃/min，所述上加热板的加热温度为200～240℃，保温时间20～40min，下加热板通过与上加热板接触被动升温，使下加热板温度稳定在130～160℃；

步骤四：对热压键合后的Cu/SiO₂混合键合样品进行保温，最终得到混合键合样品对。

2.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，所述甲酸溶液体积浓度为50％，浸泡时间为5～30min。

3.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，所述超声清洗使用去离子水清洗30～60s，并利用氮气吹干所述样品表面。

4.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗频率为40KHz，超声清洗功率为80～120W，清洗温度为25±3℃。

5.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤二中，所述等离子体种类为Ar，活化功率为100～300W，活化时间为30～150s。

6.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤三中，所述热压键合过程中，对每对样品施加键合压力为1～4Mpa。

7.根据权利要求1所述的一种多步协同表面活化低温混合键合方法，其特征在于：步骤四中，所述保温温度为200℃，时间为2～8h。