[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其特征在于，包括：

基板；

具有第一导电型的外延层，形成于所述基板上，且所述外延层具有沟槽；

栅极，位于所述沟槽内；

栅氧化层，位于所述栅极与所述沟槽之间；

具有所述第一导电型的源极区，位于所述沟槽两侧的所述外延层的表面；

具有第二导电型的本体区，位于所述源极区下方的部分所述外延层内；以及

具有所述第二导电型的抗击穿掺杂区，位于所述本体区与所述源极区的界面，其中所述抗击穿掺杂区的掺杂浓度高于所述本体区的掺杂浓度，

其中所述外延层具有接近所述源极区的一第一pn结以及接近所述基板的一第二pn结，所述本体区中最靠近所述第一pn结的区域具有比其相邻区域更高的掺杂浓度，且以所述第一pn结与所述第二pn结之间划分为N等分的N个区域，N是大于1的整数，

其中所述N个区域内的掺杂浓度愈接近所述第一pn结愈大，且

其中所述N个区域分别具有一掺杂浓度积分面积，且所述N个区域中愈接近所述第一pn结的区域的所述掺杂浓度积分面积愈大。

2.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其中所述抗击穿掺杂区的掺杂浓度介于5E+16原子/cm³～5E+17原子/cm³。

3.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其中N为2，且所述N个区域包括接近所述第一pn结的第一区域与接近所述第二pn结的第二区域，所述第一区域内的掺杂浓度均大于所述第二区域内的掺杂浓度，所述第一区域的所述掺杂浓度积分面积大于所述第二区域的所述掺杂浓度积分面积。

4.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其中N为3，且所述N个区域包括接近所述第一pn结的第一区域、接近所述第二pn结的第三区域与介于所述第一区域与所述第三区域之间的第二区域，所述第一区域内的掺杂浓度均大于所述第二区域内的掺杂浓度、所述第二区域内的掺杂浓度均大于所述第三区域内的掺杂浓度，且所述第一区域的所述掺杂浓度积分面积大于所述第二区域的所述掺杂浓度积分面积，所述第二区域的所述掺杂浓度积分面积大于所述第三区域的所述掺杂浓度积分面积。

5.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。

6.根据权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件，其中所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。

7.一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上的具有第一导电型的外延层内形成沟槽式栅极；

以注入剂量往所述基板的方向逐渐减少的方式，对所述外延层进行多数道注入具有第二导电型的掺杂物的步骤；

进行第一驱入步骤，使具有所述第二导电型的所述掺杂物在所述外延层的上半部扩散，形成具有所述第二导电型的本体区；

在所述外延层的表面注入具有所述第一导电型的掺杂物；

进行第二驱入步骤，使具有所述第一导电型的所述掺杂物扩散形成源极区；以及

在形成所述源极区之后，在所述本体区与所述源极区的界面全面地注入具有所述第二导电型的掺杂物，以形成抗击穿掺杂区，其中所述抗击穿掺杂区的掺杂浓度高于所述本体区的掺杂浓度，且后续将不再进行高温的驱入步骤。

8.根据权利要求7所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件的制造方法，其中所述多数道注入具有第二导电型的掺杂物的步骤包括两道或三道注入具有所述第二导电型的掺杂物的步骤。

9.根据权利要求7所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件的制造方法，其中所述抗击穿掺杂区的掺杂浓度介于5E+16原子/cm³～5E+17原子/cm³。