[发明专利]一种流水式模数转换器中运算放大器的版图结构有效
申请号: | 202010113812.2 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111244088B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 王潜;单艳;马梦龙 | 申请(专利权)人: | 苏州迅芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03M1/12 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 房鑫 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 流水 式模数 转换器 运算放大器 版图 结构 | ||
1.一种流水式模数转换器中运算放大器的版图结构,其特征在于:包括镜像对称的两部分模块单元,每部分模块单元包括主运算放大器、辅助运算放大器和偏置模块,所述的辅助运算放大器用于提升主运算放大器的增益,偏置模块用于给主运算放大器和辅助运算放大器提供偏置电流;运算放大器中所有mos管的并联均采用finger值,主运算放大器的mos管布局均采用单排,主运算放大器上下mos管的源漏端在同一条线上,运算放大器中所有mos管的并联数量为偶数个,辅助运算放大器、偏置模块与主运算放大器中mos管的W值一致;所述的主运算放大器、辅助运算放大器和偏置模块中添加dummy管填满版图中的空白处以保证电流不丢失;运算放大器中的顶层和次顶层当中较厚的金属用于走电源地、时钟、总线、重要信号互连线,增强运算放大器顶层的过流能力,减小压降损失,增加与其他层的距离;
当运算放大器主mos管及其上下两个mos管的源端没有与电源地连接时,使dummy管与主mos管共用的同时将最靠近主mos管的dummy管源端与主mos管的源端相接,栅端、漏端及衬底与电源地短接,保持主mos管环境一致,将主mos管与关闭的dummy管共用一端;
当运算放大器主mos管及其上下两个mos管的源端与电源地连接时,主mos管的数量是奇数,无法与两边mos管共享源、漏端时,使dummy管与主mos管共用源、漏端的同时将最靠近主mos管的dummy管的源端与主mos管的源端相接,栅端、漏端及衬底与电源地短接,保持主mos管环境一致,将主mos管与关闭的dummy管共用一端。
2.根据权利要求1所述流水式模数转换器中运算放大器的版图结构,其特征在于:所述的两部分模块单元走线均放置于模块单元内部,两部分的差分信号完全一致。
3.根据权利要求1所述流水式模数转换器中运算放大器的版图结构,其特征在于:所述主运算放大器的mos管有5个,调整W、L值使主运算放大器的5个mos管等宽。
4.根据权利要求1所述流水式模数转换器中运算放大器的版图结构,其特征在于:所述辅助运算放大器、偏置模块与主运算放大器中mos管源、漏端共用,电流源中电源与地共享。
5.根据权利要求1所述流水式模数转换器中运算放大器的版图结构,其特征在于:基于40nm工艺版图添加dummy管,工艺最小尺寸mos管摆放5排dummy管,使边缘mos管的阈值电压趋于稳定,当mos管的沟道长度大于工艺最小尺寸要求时适应性放宽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的