[发明专利]电流生成电路在审
| 申请号： | 202010115115.0 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111610354A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫文靖 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/28 | 分类号： | G01R1/28;G01R1/30;G01R19/10;G05F1/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 生成 电路 | ||
1.一种电流生成电路，其特征在于，具备：
第1电阻，其从第1端子被供给第1电流；
第2电阻，其从第2端子被供给第2电流；
第1放大器电路，其第1正侧输入端子被供给产生在所述第1电阻的电位，且第1负侧输入端子被供给产生在所述第2电阻的电位；以及
第1MOS晶体管，其栅极与所述第1放大器电路的输出端子连接，源极与所述第1负侧输入端子连接，漏极与第1差电流端子连接。
2.如权利要求1所述的电流生成电路，其特征在于：
所述第1电阻的一端与所述第2电阻的一端和既定电位的端子连接，且所述第1电阻的另一端与所述第1正侧输入端子连接，
所述第2电阻的另一端与所述第1负侧输入端子连接。
3.如权利要求2所述的电流生成电路，其特征在于：
所述第1MOS晶体管为N沟道MOS晶体管。
4.如权利要求2所述的电流生成电路，其特征在于：
所述第1MOS晶体管为P沟道MOS晶体管。
5.如权利要求2所述的电流生成电路，其特征在于：
所述既定电位的端子为VSS端子。
6.如权利要求2所述的电流生成电路，其特征在于：
所述既定电位的端子为VDD端子。
7.如权利要求1至权利要求6的任一项所述的电流生成电路，其特征在于：
所述第1放大器电路由MOS晶体管形成，所述第1正侧输入端子及所述第1负侧输入端子由既定MOS晶体管的栅极形成。
8.如权利要求1所述的电流生成电路，其特征在于，还具备：
第2放大器电路，其第2负侧输入端子被供给产生在所述第1电阻的电位，且第2正侧输入端子被供给产生在所述第2电阻的电位；以及
第2MOS晶体管，其栅极与所述第2放大器电路的输出端子连接，源极与所述第2负侧输入端子连接，漏极与第2差电流端子连接。
9.如权利要求8所述的电流生成电路，其特征在于：
所述第1放大器电路由MOS晶体管形成，所述第1正侧输入端子及所述第1负侧输入端子由既定MOS晶体管的栅极形成，
所述第2放大器电路由MOS晶体管形成，所述第2正侧输入端子及所述第2负侧输入端子由既定MOS晶体管的栅极形成。
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