[发明专利]一种GaN纵向逆导结场效应管有效
| 申请号： | 202010115155.5 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111293176B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周琦;董志文;魏鹏程;马骁勇;熊娓;杨秀;刘熙;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纵向 逆导结 场效应 | ||
1.一种GaN纵向逆导结场效应管，从下至上依次包括层叠设置的硅衬底(10)、漏极GaNN型重掺杂层(1)、N型漂移区(2)、P型掺杂阻挡层(4)和源极GaN N型重掺杂层(5)；所述P型掺杂阻挡层(4)与N型漂移区(2)构成PNP结构的JFET区(11)；其特征在于，还包括凹槽结构，所述凹槽位于器件上表面两端，沿垂直方向贯穿P型掺杂阻挡层(4)延伸到N型漂移区(2)，并在凹槽内淀积肖特基接触金属(9)；所述N型漂移区(2)中具有多个沿垂直方向平行设置的浮空P-GaN区域(3)，浮空P-GaN区域(3)位于凹槽下方，两侧的浮空P-GaN区域(3)以N型漂移区(2)的垂直中线呈对称分布；所述源极GaN N型重掺杂层(5)位于JFET区(11)正上方，并与P型掺杂阻挡层(4)相邻；所述源极GaN N型重掺杂层(5)的上表面是源极欧姆金属(7)；所述P型掺杂阻挡层(4)的上表面是栅极金属(6)，且栅极金属(6)夹在源极欧姆金属(7)之间；所述漏极GaN N型重掺杂层(1)的横向宽度大于N型漂移区(2)的宽度，所述N型漂移区(2)位于漏极GaN N型重掺杂层(1)上表面中部，在漏极GaN N型重掺杂层(1)上表面两端分别具有漏极欧姆金属(8)。
2.根据权利要求1所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，所述浮空P-GaN区域(3)的长度Lp为0.5～1.5μm。
3.根据权利要求1所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，P型掺杂阻挡层(4)的掺杂浓度Np为1～5(× 1017cm-3)。
4.根据权利要求1所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，P型掺杂阻挡层(4)的厚度Tp为0.5～2.5μm。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的一种GaN纵向逆导结场效应管，其特征在于，JFET区(11)的沟道宽度Lap为0.5～1.5μm。
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