[发明专利]磁性存储装置

权利要求书

1.一种磁性存储装置，其特征在于具备第1积层体、及所述第1积层体的上方的第2积层体，

所述第1积层体及所述第2积层体分别包含：

第1铁磁性体层，具有朝向第1方向的磁化；

第1导电体层，位于所述第1铁磁性体层的上方，为非磁性；

第2铁磁性体层，设置在所述第1导电体层的上方，具有朝向与所述第1方向不同的第2方向的磁化；

第1绝缘体层，与所述第2铁磁性体层的上表面相接；及

第3铁磁性体层，位于所述第1绝缘体层的上方；且

所述第2积层体的所述第2铁磁性体层厚于所述第1积层体的所述第2铁磁性体层。

2.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第2铁磁性体层具有：

第4铁磁性体层，配置在所述第1绝缘体层与所述第1导电体层之间，与所述第1绝缘体层相接；及

第5铁磁性体层，配置在所述第4铁磁性体层与所述第1导电体层之间，结晶构造与所述第4铁磁性体层不同。

3.根据权利要求2所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第1积层体的所述第4铁磁性体层、及所述第2积层体的所述第4铁磁性体层分别具有0.8nm以上1.4nm以下的厚度。

4.一种磁性存储装置，其特征在于具备第1积层体至第n积层体，其中n为2以上的自然数，

X为2至n的自然数，第X积层体位于第X－1积层体的上方，

所述第1积层体至所述第n积层体分别包含：

第1铁磁性体层，具有朝向第1方向的磁化；

第1导电体层，位于所述第1铁磁性体层的上方，为非磁性；

第2铁磁性体层，设置在所述第1导电体层的上方，具有朝向与所述第1方向不同的第2方向的磁化；

第1绝缘体层，与所述第2铁磁性体层的上表面相接；及

第3铁磁性体层，位于所述第1绝缘体层的上方；且

所述第X积层体的所述第2铁磁性体层厚于所述第X－1积层体的所述第2铁磁性体层。

5.根据权利要求4所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第2铁磁性体层具有：

第4铁磁性体层，配置在所述第1绝缘体层与所述第1导电体层之间，与所述第1绝缘体层相接；及

第5铁磁性体层，配置在所述第4铁磁性体层与所述第1导电体层之间，结晶构造与所述第4铁磁性体层不同。

6.根据权利要求5所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第1积层体至所述第n积层体各自的所述第4铁磁性体层具有0.8nm以上1.4nm以下的厚度。

7.根据权利要求2或5所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第4铁磁性体层的膜厚薄于所述第5铁磁性体层的膜厚。

8.一种磁性存储装置，其特征在于具备第1积层体、及所述第1积层体的上方的第2积层体，

所述第1积层体及所述第2积层体分别包含：

第1铁磁性体层，具有朝向第1方向的磁化；

第1导电体层，位于所述第1铁磁性体层的上方，为非磁性；

第2铁磁性体层，设置在所述第1导电体层的上方，具有朝向与所述第1方向不同的第2方向的磁化；

第1绝缘体层，与所述第2铁磁性体层的上表面相接；及

第3铁磁性体层，位于所述第1绝缘体层的上方；且

所述第2积层体的所述第1导电体层具有与所述第1积层体的所述第1导电体层的厚度不同的厚度。

9.根据权利要求8所述的磁性存储装置，其特征在于：所述第2铁磁性体层具有：

第4铁磁性体层，配置在所述第1绝缘体层与所述第1导电体层之间，与所述第1绝缘体层相接；及

第5铁磁性体层，配置在所述第4铁磁性体层与所述第1导电体层之间，结晶构造与所述第4铁磁性体层不同。