[发明专利]一种沉浸式金刚线切割晶硅及冷却润滑的方法

说明书

本发明涉及一种沉浸式金刚线切割晶硅及冷却润滑的方法，属于晶硅加工领域，金刚线沉浸在切削液中切割晶硅，切削液进入切割区，对切割区进行冷却和润滑，切削液浸满沉浸槽，金刚线贯穿沉浸槽并沉浸在切削液中对晶硅进行切割，切削液带入切割区，切割区带出的切屑由沉浸槽下方的泄流口排出，所述沉浸槽设置于金刚线网下方，其包括侧壁和与侧壁相连接的槽底，所述侧壁和槽底围成容纳切削液的空间，金刚线对应的侧壁上部设置有供金刚线贯穿的线槽，使用该方法切割的晶硅表面粗糙度质量更好，尤其在高进给速率等高生产率下，表面粗糙度更好，显著提高晶硅产品的质量，成本低廉、构思巧妙，应用前景广泛。

技术领域

本发明属于晶硅加工领域，具体地说涉及一种沉浸式金刚线切割晶硅及冷却润滑的方法。

背景技术

晶硅是太阳能电池板实现光电转换的重要组成部分，其需要经过多个工序的加工才能成为符合标准的晶硅片。在晶硅的加工过程中，加工效率和切割质量是单/多线金刚线切割领域主要关注的问题。传统的加工过程中采用喷淋作为主要的降温方式，传统喷嘴喷淋和浇注方式可以一定程度上降低切削区温度，冲走切屑，但是由于金刚线线径极细，在多线切割方面线径可低至50μm，单线截断也可达到120μm以下。因此，切缝极小，切削液在细线带入切削区的能力较有限，不能保证充足的冷却和润滑效果，尤其是切削液的润滑能力没有充分发挥，导致切削质量和加工效率受到一定的限制。因此，有效提高切削液的润滑能力对单/多线金刚线切割领域中加工效率和切割质量的提高具有极为重要的意义。

发明内容

针对现有技术的种种不足，现提出一种沉浸金刚线切割晶硅的方法，能够使得金刚线沉浸在切削液中，有效保证切削液进入切缝，充分发挥切削液的润滑能力和冷却效果。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种沉浸式金刚线切割晶硅及冷却润滑的方法，金刚线沉浸在切削液中切割晶硅，切削液进入切割区，对切割区进行冷却和润滑。

进一步，切削液浸满沉浸槽，金刚线贯穿沉浸槽并沉浸在切削液中对晶硅进行切割，切削液带入切割区，切割区带出的切屑由沉浸槽下方的泄流口排出。

进一步，所述沉浸槽设置于金刚线网下方，所述沉浸槽的上部开口，其包括侧壁和与侧壁相连接的槽底，所述侧壁和槽底围成容纳切削液的空间，金刚线对应的侧壁上部设置有供金刚线贯穿的线槽。

进一步，所述槽底设置有凸起，且所述凸起朝向沉浸槽的开口，利于切屑向槽底边缘聚集。

进一步，所述侧壁与槽底相接处设置有多个泄流口，供切削液排出。

进一步，所述沉浸槽的纵截面成矩形，且所述泄流口沿着沉浸槽的长度方向设置。

进一步，在金刚线网的上方设置有喷嘴，用于补充沉浸槽内的切削液。

进一步，所述喷嘴设置在晶硅的两侧。

本发明的有益效果是：

1、金刚线沉浸在切削液中切割晶硅，实现沉浸切削，有效克服切削区内金刚线较细，切入硅棒两侧夹紧金刚线，线缝极小，普通浇注方法切削液无法进入切割区的弊端，对切削区更好地润滑和冷却的目的，创新性极强。

2、沉浸槽底设置泄流口，用于排出沉淀到槽底的切屑和切削液。

3、沉浸槽上部开设线槽，有效避免侧壁干涉金刚线。

4、喷嘴位于硅棒两侧的上方，补充沉浸槽损失切削液，减少对金刚线切割的影响。

附图说明

图1是沉浸槽的整体结构示意图；

图2是本发明的结构示意图；

图3是本发明的切割区结构示意图；