[发明专利]一种扇出型封装件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010116109.7 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111312676B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 孟繁均;陆阳 申请(专利权)人: 杰华特微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 代理人: 唐灵;赵杰香
地址: 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 扇出型 封装 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种扇出型封装件,其特征在于:包括

基底,所述基底上设有容置槽;

至少一块芯片,位于所述基底的容置槽中;

塑封材料,包封所述至少一块芯片并固定于所述基底的容置槽中;

其中,所述芯片包括第一表面和与所述第一表面相背的第二表面,所述第一表面设有多个输入输出端口,所述第二表面设有多个凸块,所述多个凸块的位置对应所述多个输入输出端口中的至少部分,每一对对应的凸块和输入输出端口之间由贯穿所述芯片的TSV电连接;

第一再分布层,电连接在所述第一表面的至少部分输入输出端口上,并按所述第一再分布层的图形将该部分输入输出端口分别引导至多个外部焊球上;

第二再分布层,电连接在所述第二表面的至少部分凸块上,并按所述第二再分布层的图形将该部分凸块电互连或电引出,

其中,需要通过TSV导通至第二表面的输入输出端口为两个或两个以上需要对接的输入输出端口,所述两个或两个以上需要对接的输入输出端口被所述TSV电导通至第二表面后,在所述第二表面上用所述第二再分布层进行电互连。

2.如权利要求1所述的扇出型封装件,其特征在于:所述芯片的数量为至少两块,每块所述芯片有至少一个凸块通过所述第二再分布层与其它芯片中的至少一个凸块电互连。

3.如权利要求1或2所述的扇出型封装件,其特征在于:所述塑封材料至少溢出在所述容置槽的外部,并在对应所述第一表面的至少部分输入输出端口位置具有开口,以露出所述部分输入输出端口。

4.如权利要求3所述的扇出型封装件,其特征在于:还包括钝化层,设置在所述塑封材料上,所述钝化层包封所述第一再分布层,并露出与所述外部焊球连接的区域。

5.如权利要求1或2所述的扇出型封装件,其特征在于:所述塑封材料充满所述容置槽内,将所述芯片和所述第二再分布层进行包封。

6.一种如权利要求1-5任意一项所述的扇出型封装件的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基底,并在所述基底上开设容置槽;

在所述容置槽的底部制作导电层,并刻蚀出所需的图形,形成第二再分布层;将至少一块芯片的第二表面粘接在所述第二再分布层上,使得所述第二表面的至少部分凸块被所述第二再分布层电互连或电引出;

填充塑封材料并固化,使所述芯片被包封于所述塑封材料中;

使所述芯片第一表面上的部分输入输出端口露出,并在所述塑封材料上制作第一再分布层,使得所述第一表面的至少部分输入输出端口被所述第一再分布层的图形电引导至多个外部焊球上;

在所述第一再分布层上制作多个所述外部焊球,

其中,需要通过TSV导通至第二表面的输入输出端口为两个或两个以上需要对接的输入输出端口,所述两个或两个以上需要对接的输入输出端口被所述TSV电导通至第二表面后,在所述第二表面上用所述第二再分布层进行电互连。

7.如权利要求6所述的扇出型封装件的制作方法,其特征在于:所述塑封材料充满整个容置槽并溢出,使得所述第二再分布层被包封于所述塑封材料中。

8.如权利要求7所述的扇出型封装件的制作方法,其特征在于:在填充所述塑封材料后,还包括露出所述第一表面输入输出端口的步骤,所述露出所述第一表面输入输出端口的步骤包括使用光刻法在对应所述输入输出端口位置处开窗,或者将该塑封材料减薄,以露出所述第一表面的输入输出端口。

9.如权利要求6所述的扇出型封装件的制作方法,其特征在于:还包括在所述第一再分布层上制作钝化层,所述钝化层包封所述第一再分布层,并露出与所述外部焊球连接的区域,所述外部焊球制作在该些区域上。

10.如权利要求6所述的扇出型封装件的制作方法,其特征在于:当所述芯片的数量为至少两块时,所述第二再分布层的图形将所述至少两块芯片中对应TSV的凸块电互连或电引出。

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