[发明专利]抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂底层组合物，包括

聚合物，包含由化学式1表示的结构单元；以及

溶剂：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

L¹到L⁵独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合，

L⁶和L⁷独立地为O、S、S(O)、S(O₂)、C(O)、C(O)O、OC(O)O、单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合，

R¹和R²独立地为氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、氨基、环氧基、乙烯基、(甲基)丙烯酸酯基、氧杂环丁烷基、硫醇基、羧基、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C2到C30烯基、经取代或未经取代的C2到C30炔基、经取代或未经取代的C1到C10烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30硫代烷基、经取代或未经取代的C3到C30环烷基、经取代或未经取代的C2到C20杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C6到C30芳氧基、经取代或未经取代的C6到C30硫代芳基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基或其组合，

n为1到1,000的整数中的一个，

D为O、S、S(O₂)、C(O)或C(O)O，

m为0或1的整数，

*为连接点，

A¹和A²独立地为O、S、S(O)、S(O₂)、C(O)、C(O)O、OC(O)O、经取代或未经取代的C3到C10亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C10亚杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基或其组合，以及

A¹和A²中的至少一个为由化学式A表示的基团：

[化学式A]

其中，在化学式A中，

L^a为单键、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂环烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚杂烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚烯基、经取代或未经取代的C2到C30亚炔基或其组合，以及

*为连接点。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中A¹和A²独立地为经取代或未经取代的C3到C10亚环烷基、经取代或未经取代的C2到C10亚杂环烷基、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C2到C30亚杂芳基或其组合。