[发明专利]具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的基底，所述基底具有第一面和第二面；

第二导电类型的阱区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述阱区位于所述基底中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸；

第一导电类型的源区，所述源区位于所述阱区中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸；

第二导电类型的接触区，所述接触区位于所述基底中，并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述接触区与所述阱区和所述源区接触；

肖特基区，从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，所述肖特基区是所述基底的一部分；以及

源金属层，所述源金属层设置在所述第一面上，并且所述源金属层的第一部分与所述肖特基区接触形成肖特基二极管，在与所述第一面朝向所述第二面的方向相垂直的第一平面内，所述肖特基区被所述阱区和所述接触区包围。

2.根据权利要求1所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，在所述第一平面内，所述肖特基区的边界为四边形，所述四边形的第一相对边与所述阱区接触，所述四边形的第二相对边与所述接触区接触。

3.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，在所述第一平面内，所述肖特基区在至少一个方向上的长度范围为0.8um至2.5um。

4.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，所述源金属层的第二部分与所述接触区形成欧姆接触。

5.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，所述源金属层的第三部分与所述源区形成欧姆接触。

6.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，从所述第一面朝向所述第二面的方向上，所述阱区的深度范围为0.6um至1.8um，所述接触区的深度范围为0.4um至1.8um。

7.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，还包括：

栅极，设置在所述第一面之上；以及

JFET区，所述JFET区设置在所述栅极的至少一部分的下方，所述JFET区位于所述基底中并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸。

8.根据权利要求7所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，在所述第一平面的至少一个方向上，所述JFET区将相邻的阱区隔开。

9.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。

10.根据权利要求1或2所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，所述基底包括硅、碳化硅之一。

11.一种具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的基底，所述基底具有第一面和第二面；

设置在基底中具有第二导电类型的多个阱区，第二导电类型与第一导电类型相反；

多个源区，每个源区设置在相应的阱区中；

多个第二导电类型的接触区，每个接触区与相邻的阱区和源区接触，接触区具有比阱区更高的杂质浓度；以及

多个肖特基区，在第一平面内，每个肖特基区被阱区和接触区包围，所述第一平面与从所述第一面朝向所述第二面的方向相垂直。

12.根据权利要求11所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，在所述第一平面的第一方向上，所述多个肖特基区中每个肖特基区的长度范围为0.8um至2.5um。

13.根据权利要求11所述的具有肖特基二极管的半导体器件，其特征在于，还包括：

多个JFET区，在所述第一平面的至少一个方向上，每个JFET区设置在相邻阱区之间。