[发明专利]一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS2

权利要求书

1.一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：

一、氧化石墨烯的制备

取石墨粉和硝酸钠，在冰浴条件下加入H₂SO₄搅拌均匀，再加入KMnO₄，在36℃水浴锅中搅拌1h，形成粘稠浆液；然后向浆液中加入去离子水，在温度为90℃条件下搅拌15min后，加入去离子水，并加入H₂O₂，溶液由深棕色变成黄色；用1M盐酸洗涤过滤，反复用去离子水洗涤直至产物由黄色变成黑色，黑色产物分散在去离子水中4000rpm·min^-1离心5min离心除去下层颗粒物，重复清洗4-5次直至无颗粒物，8000rmp·min^-1高速离心20min去除上清液，制得的氧化石墨烯溶液并放入透析袋，直至溶液pH 7.0，得氧化石墨烯溶液，冻干机将氧化石墨溶液冻干备用；

其中，石墨粉与硝酸钠的质量比为1:1；石墨粉与H₂SO₄的质量体积比为1g:26.67mL；石墨粉与KMnO₄的质量比为1:3；石墨粉与去离子水的质量体积比为1g:216.67mL；石墨粉与H₂O₂的质量体积比为1g:6.67mL；沉淀与1M盐酸的质量体积比为1g:(33.3～66.7)mL；

二、GO/MoS₂的合成

取上述制备的氧化石墨烯分散于去离子水中，加入钼酸铵和硫脲，超声15min；在180℃水浴中静置10h，去离子水、无水乙醇各清洗三次，然后烘干12h，得GO/MoS₂；

其中，氧化石墨烯与去离子水的质量体积比为1g:2L；氧化石墨烯与钼酸铵的质量比为1:0.3；氧化石墨烯与硫脲的质量比为1:0.139；

三、电极制备

将泡沫镍剪成40mm×50mm大小，依次用稀1M盐酸、无水乙醇、超纯水超声清洗后进行烘干、压片，制得NF电极基底；取步骤二制得的GO/MoS₂材料与PVDF、乙炔黑混合，用N-甲基-2-吡咯烷酮调成糊状，涂于步骤四泡沫镍上，100℃烘干，即得所述的在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极；

其中，GO/MoS₂材料、PVDF和乙炔黑的质量比为8:1:1。

2.根据权利要求1所述的一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于H₂SO₄的质量百分含量为98wt％。

3.根据权利要求1所述的一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于KMnO₄缓慢加入。

4.根据权利要求1所述的一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于H₂O₂质量百分含量为30％。

5.根据权利要求1所述的一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于HCI浓度为1M。

6.根据权利要求1所述的一种在电化学法去除水体铅离子的GO/MoS₂电极制备方法，其特征在于10MPa压力对泡沫镍压片处理5min。