[发明专利]一种取段结晶工艺在审
申请号: | 202010116913.5 | 申请日: | 2020-02-25 |
公开(公告)号: | CN113373508A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结晶 工艺 | ||
1.一种取段结晶工艺,其特征在于:包括以下步骤,
下降坩埚;
降低单晶转速与坩埚转速;
预制结晶功率,控制坩埚内硅溶液的温度,便于复投原料熔化结晶。
2.根据权利要求1所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述下降坩埚步骤中坩埚的下降距离为30-50mm。
3.根据权利要求1或2所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为2-5rap/min。
4.根据权利要求3所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述降低单晶转速与坩埚转速步骤中单晶的转速为3-8rap/min。
5.根据权利要求1或2或4所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述预制结晶功率包括分别预制主加热器功率和底部加热器功率。
6.根据权利要求5所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述主加热器功率为50-60kw。
7.根据权利要求6所述的取段结晶工艺,其特征在于:所述底部加热器功率为0-10kw。
8.根据权利要求1所述的取段结晶工艺,其特征在于:在坩埚的自动下降之前,还进行单晶的提升。
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