[发明专利]一种石英晶体微天平传感器及其金电极的修饰方法和应用

权利要求书

1.一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，称取1,3,5-均苯三羧酸铜分散于超纯水中，通过超声波清洗仪超声得到均匀的MOF分散液；

步骤2，将步骤1中得到的均匀的MOF分散液通过滴涂的方式修饰于金电极表面，并在红外灯下干燥形成MOF薄膜，得到1,3,5-均苯三羧酸铜修饰的金电极；

步骤3，将步骤2中得到的1,3,5-均苯三羧酸铜修饰的金电极置于AuHCl₄溶液中，采用电沉积方法在1,3,5-均苯三羧酸铜修饰的金电极表面上修饰纳米金，得到纳米金修饰的和1,3,5-均苯三羧酸铜修饰的金电极；

步骤4，将四环素适配体滴涂于步骤3中得到的纳米金修饰的和1,3,5-均苯三羧酸铜修饰的金电极的表面孵育，并进行清洗，即得到四环素适配体修饰金电极；

步骤5，在步骤4中得到的四环素适配体修饰金电极上滴涂6-巯基己醇溶液，并进行清洗，即得到6-巯基己醇处理的四环素适配体修饰金电极。

2.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述的步骤1中得到的MOF分散液的浓度为0.5-2mg/mL。

3.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述步骤2中均匀的MOF分散液的用量为20μL，所述步骤2中在红外灯下干燥形成MOF薄膜的干燥时间是30min-1h。

4.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述的步骤3中的AuHCl₄溶液浓度为1％。

5.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述步骤3中的电沉积方法是循环伏安法，所述循环伏安法扫描电压范围为-0.3V-0V，扫描速率20mV/s-100mV/s，扫描圈数为3-10圈。

6.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述步骤4中四环素适配体的浓度为0.6μM，所述步骤4中四环素适配体的孵育时间为60min-120min，所述步骤5中6-巯基己醇溶液浓度为1.0mol L^-1，用量为20μL。

7.根据权利要求1所述的一种石英晶体微天平传感器金电极的修饰方法，其特征在于：所述四环素适配体序列为：5'-SH-(CH₂)₆-CGT ACG GAA TTC GCT AGC CCC CCG GCA GGCCAC GGC TTG GGT TGG TCC CAC TGC GCG TGG ATC CGA GCT CCA CGT G-3'。