[发明专利]一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法

说明书

本发明提供一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法，包括以下步骤：S1在启动过程中，分别对所有物理擦除块进行扫描，对应构建两个链表用表a和表b表示，每个链表对象至少包含“块序列号”信息，根据坏块信息创建BBT；S2建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联，创建逻辑块关联表p，表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号；S3如果在使用过程中产生坏块，标记两片FLASH中的坏块，当两片FLASH均出现坏块，且坏块在表a和表b中非一一对应，则对应表a中的FLASH的坏块由对应表b中的FLASH坏块的表a中的好块去重新对应，根据逻辑擦除块的块序列号，更新表a或表b中对应的有效标志为无效，将表p中对应的坏块替换。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别涉及一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法。

背景技术

随着科技的不断发展，特别是NAND FLASH技术的发展。现有技术中，NAND FLASH具有每bit存储较高的性价比，使其广泛的应用在嵌入式系统中，但是由于制作工艺问题，NAND FLASH出厂自带坏块，因此一定要配合合理的坏块管理机制才能稳定高效的使用。

Linux内核的nand逻辑驱动中提供了一套NAND FLASH的坏块管理方案，可以运用于独立的一个或多个NAND FLASH的坏块管理，并在内存创建一个或多个BBT或在每个NANDFLASH中创建一个BBT。

NAND FLASH双片并行使用，在应用层可以视为去操作一个大的NAND FLASH，相比较于使用单片NAND FLASH，可以使存储总空间扩大一倍，速度提升一倍；并且每片都有各自的硬件ECC，同时也保证了NAND FLASH中数据的可靠性。但是由于是并行使用，一个数据按比特拆分成两部分，分别存储于两片并行使用的NAND FLASH中，两片NAND FLASH的物理块之间存在依赖关系，因此坏块管理变得复杂。

当前针对并行双片NAND FLASH的坏块管理，只是在逻辑层被认为是一整片NANDFLASH，将两片NAND FLASH的物理擦除块序列号进行一对一的简单关联，使用linux内核提供的坏块管理机制，在内存或是在两片NAND FLASH的其中一片上建立一个BBT进行管理。两个物理擦除块中的任意一块被标记成坏块，逻辑层的一整个逻辑擦除块就被标记成坏块，在每次读写过程中，会跳过该逻辑擦除块。

现有技术中的缺陷在于：

当前针对并行双片NAND FLASH的坏块管理，只要两个关联物理擦除块中，有一个块被标记成坏块之后，逻辑层对应的一个逻辑擦除块就变得不可靠，因此两个物理块都不能使用，因此就会造成一个物理擦除块的浪费。

现有技术中的常用术语包括：

NAND FLASH：一种非易失性的存储介质。

ECC：(Error Correcting Code)错误检查和纠正。

BBT：(Bad Block Table)坏块表。

MTD：(memory technology device内存技术设备)是用于访问memory设备(ROM、FLASH)的Linux的子系统。

NAND逻辑驱动：linux内核中提供的一套对NAND FLASH的逻辑操作代码。物理擦除块：NAND FLASH的最小擦除单位。

逻辑擦除块：根据物理擦除块映射出来的抽象存储空间，用户层访问的最小擦除单位。

纯净块：NAND FLASH擦除过，数据为全0xff的块。

发明内容