[发明专利]一种异质结材料及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202010118693.X | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111312893A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何洪涛;余涛;陈平博;周良 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;G01R33/02;G01R33/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种异质结材料，其特征在于，所述异质结材料包括SrIrO3层以及位于所述SrIrO3层上的锰氧化物层。
2.根据权利要求1所述的异质结材料，其特征在于，所述锰氧化物层中，锰氧化物包括La0.67Sr0.33MnO3和/或LaMnO3；
优选地，所述锰氧化物为(001)取向；
优选地，所述SrIrO3层的厚度为15-25nm；
优选地，所述锰氧化物层的厚度为5-15nm。
3.根据权利要求1或2所述的异质结材料，其特征在于，所述SrIrO3层位于基片上；
优选地，所述基片为SrTiO3基片；
优选地，所述基片为SrTiO3(001)单晶基片。
4.一种如权利要求1或2所述的异质结材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)沉积SrIrO3层；
(2)在步骤(1)所述SrIrO3层上沉积锰氧化物层，得到所述异质结材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述沉积SrIrO3层的方法包括：采用脉冲激光沉积法在基片上沉积SrIrO3层；
优选地，所述激光沉积法的激光能量为0.8-1.5J/cm2；
优选地，所述激光沉积法的靶材与基片的间距为3-6cm；
优选地，所述沉积SrIrO3层的靶材为SrCO3和IrO2烧结得到的SrIrO3；
优选地，所述沉积SrIrO3层的沉积温度为650-750℃；
优选地，所述沉积SrIrO3层的沉积氧压为10-1-3.5×101Pa。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基片为SrTiO3基片；
优选地，所述SrTiO3基片为单面抛光的SrTiO3(001)单晶基片；
优选地，所述基片在使用前先进行预处理；
优选地，所述预处理包括超声处理；
优选地，所述超声处理的方法包括：将所述基片在第一溶剂中超声第一时间，之后在第二溶剂中超声第二时间；
优选地，所述第一溶剂包括异丙醇；
优选地，所述第二溶剂包括水；
优选地，所述第一时间为10-20min；
优选地，所述第二时间为3-8min；
优选地，所述预处理过程中，重复进行所述超声处理2-3次。
7.根据权利要求4-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述沉积锰氧化物层的方法包括：采用脉冲激光沉积法在步骤(1)所述SrIrO3层上沉积锰氧化物层，并进行退火。
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