[发明专利]一种增益可调的交叉耦合运算放大电路

权利要求书

1.一种增益可调的交叉耦合运算放大电路，其特征在于，包括差分输入模块（12）、交叉耦合模块（11）和输出缓存模块（13）；

所述差分输入模块包括第一晶体管（M1）、第二晶体管（M2）、第三晶体管（M3）、第四晶体管（M4）和第七晶体管（M7）；

第一晶体管（M1）的源极、第二晶体管（M2）的源极和第七晶体管（M7）的漏极相连，第七晶体管（M7）的栅极与偏置电压端口VB连接，第七晶体管（M7）的源极与接地端口GND连接；

第一晶体管（M1）的栅极与正向输入端口IN+相连，第二晶体管（M2）的栅极与负向输入端口IN-相连，

第一晶体管（M1）的漏极与第三晶体管（M3）的源极连接，构成第一节点；

第二晶体管（M2）的漏极与第四晶体管（M4）的源极连接，构成第二节点；

第三晶体管（M3）的漏极和栅极与电源端口VDD连接；

第四晶体管（M4）的漏极和栅极与电源端口VDD连接；

所述交叉耦合模块包括第五晶体管（M5）及第六晶体管（M6），第五晶体管（M5）的漏极、第六晶体管（M6）的栅极和第一节点连接，第六晶体管（M6）的漏极、第五晶体管（M5）的栅极与第二节点连接，第五晶体管（M5）和第六晶体管（M6）的源极均与接地端口GND相连；

所述输出缓存模块包括第八晶体管（M8）、第九晶体管（M9）、第十晶体管（M10）和第十一晶体管（M11），

第八晶体管（M8）的栅极与第一节点连接，其漏极与电源端口VDD 连接，其源极与第十晶体管（M10）的漏极、第十晶体管（M10）的栅极、第十一晶体管（M11）的栅极连接，第十晶体管（M10）的源极与接地端口GND连接；

第九晶体管（M9）的栅极与第二节点连接，其漏极与电源端口VDD连接，第九晶体管（M9）的源极及第十一晶体管（M11）的漏极均与输出端口OUT连接，所述第十一晶体管（M11）的源极与接地端口GND连接；

所述差分输入模块采用N型TFT外加电压偏置充当尾电流源；

所述交叉耦合模块与差分输入模块的含尾电流源的差分输入晶体管对并联。

2.根据权利要求1所述的交叉耦合运算放大电路，其特征在于，晶体管均为N型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的交叉耦合运算放大电路，其特征在于，所述差分输入模块及交叉耦合模块中的晶体管尺寸为左右对称。

4.根据权利要求1所述的交叉耦合运算放大电路，其特征在于，所述第三晶体管及第四晶体管的尺寸是第七晶体管尺寸的二分之一。

5.根据权利要求1所述的交叉耦合运算放大电路，其特征在于，所述输出缓存模块为差分转单端电路结构。