[发明专利]一种抑制串扰的三电平有源驱动电路

权利要求书

1.一种抑制SiC MOSFET串扰的三电平有源驱动电路，其特征在于，包括：

驱动推挽电路，用于产生控制SiC MOSFET的栅源极电压v_gs；

驱动电阻R_g，所述驱动电阻R_g的一端经过第一节点与所述驱动推挽电路串联，所述驱动电阻R_g的另一端与所述SiC MOSFET的栅极相连；

脉冲产生电路，所述脉冲产生电路包括第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第四电阻R₄、第一电容C₁和第一电压比较器U₁，其中，所述第一电阻R₁的一端与-5V相连，所述第一电阻R₁的另一端经过第二节点与所述第二电阻R₂的一端串联，所述第二电阻R₂的另一端与所述第一节点相连，所述第三电阻R₃的一端与-5V相连，所述第三电阻R₃的另一端经过第三节点与所述第四电阻R₄的一端串联，所述第四电阻R₄的另一端接地，所述第一电容C₁的一端与所述第二节点相连，所述第一电容C₁的一端与-5V相连，所述第一电压比较器U₁的正输入端V_in+与所述第二节点相连，所述第一电压比较器U₁的负输入端V_in-与所述第三节点相连；

零压钳位电路，所述零压钳位电路包括第一P沟道MOSFET Q_p和第一二极管D₁，其中，所述第一P沟道MOSFET Q_p的一端接地，所述第一P沟道MOSFET Q_p的另一端与所述第一二极管D₁串联，所述第一二极管D₁的另一端与第四节点相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一P沟道MOSFET Q_p漏源极的耐压值大于所述栅源极电压v_gs。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电压比较器的输出作为所述零压钳位电路的输入。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一电压比较器U₁输出电压小于所述第一P沟道MOSFET Q_p的栅源极电压v_gs。

5.根据权利要求1或4所述的电路，其特征在于，所述第一电压比较器U₁输出电压高于所述第一P沟道MOSFET Q_p开通的阈值电压V_th。