[发明专利]一种基于双极器件的功率驱动电路

权利要求书

1.一种基于双极器件的功率驱动电路，其特征在于，包括：

功率驱动电路，采用与后级功率MOSFET器件相同的电源供电；

所述功率驱动电路包括上侧达林顿驱动器件和下侧达林顿驱动器件，提供互补输出能力对后级功率MOSFET器件供入供出电流；还包括电流源IB1，对所述功率驱动电路提供偏置；

死区时间控制电路，采用与上述电源相比较低电压的电源供电；

所述死区时间控制电路包括达林顿管结构和共发射极放大器，所述达林顿管结构直接控制所述功率驱动电路，所述共发射极放大器用于保证所述死区时间控制电路的开关特性；

所述功率驱动电路包括三极管BN1~BN5，电阻R1~R2和二极管D1~D2；其中，所述三极管BN1的发射极与三极管BN2的基极和三极管BN5的集电极相连，所述三极管BN2的发射极与所述三极管BN5的发射极相连并接地；电阻R1的两端分别与所述三极管BN5的集电极和发射极相连；

三极管BN3的发射极与二极管D1的正极和三极管BN4的基极相连，三极管BN4的发射极与三极管BN2的集电极相连；三极管BN3的集电极与三极管BN4的集电极相连；

电阻R2的一端连接三极管BN3的发射极，另一端连接二极管D2的正极，所述二极管D1和二极管D2的负极互连，并接至三极管BN1的集电极；

所述死区时间控制电路包括三极管BN6~BN8，电阻R3~R9、二极管D3~D4和电容C1；其中，三极管BN8的集电极连接电阻R9，发射极通过电阻R8接地；三极管BN8的集电极接二极管D3的正极，二极管D3和D4串联后连接至三极管BN7的基极，所述三极管BN7的集电极连接电阻R5，发射极通过电阻R6接地；

电阻R7的一端通过电容C1连接至三极管BN7的集电极，另一端连接三极管BN6的基极；三极管BN6的集电极连接电阻R4，发射极通过电阻R3接地；所述三极管BN5的基极连接至所述电容C1和所述电阻R7之间；所述三极管BN1的基极连接至三极管BN6的集电极和所述电阻R4之间；所述三极管BN8的基极连接输入信号INPUT，所述二极管D2的正极连接输出信号OUTPUT。

2.如权利要求1所述的基于双极器件的功率驱动电路，其特征在于，所述上侧达林顿驱动器件和所述下侧达林顿驱动器件采用相同器件设计。