[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供GaSb晶圆，所述GaSb晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述第一表面制作形成正面电路结构；

提供承载片；

将所述GaSb晶圆的正面电路结构与承载片贴合；

采用第一磨盘和研磨液对所述GaSb晶圆的第二表面进行一体化减薄抛光，所述第一磨盘上设置有碳化钨涂层，所述碳化钨涂层的颗粒粒径为纳米级别，所述碳化钨涂层用于研磨所述GaSb晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述碳化钨涂层的颗粒粒径范围为500nm-800nm，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述研磨液包括：

润滑剂：PEG聚乙二醇混合物；

表面活性剂：苯磺酸盐；

分散剂：次氯酸盐；

去离子水；

PH值调节剂：氨水。

4.根据权利要求3所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述研磨液的各个组成部分的质量比例为：润滑剂PEG-600 1％～5％，PEG-1000 1％～5％；表面活性剂3％～5％；分散剂1％～4％；去离子水80％～94％；PH值调节剂：0.1％～1％；PH值8～10。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述第一磨盘的转速为100rpm/min～200rpm/min，包括端点值；所述研磨液的流速范围为2ml/sec～3ml/sec，包括端点值。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体器件制作方法，其特征在于，在所述采用第一磨盘和研磨液对所述GaSb晶圆的第二表面进行一体化减薄抛光之后，还包括：

采用第二磨盘和抛光液对所述第二表面进行精密抛光。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述抛光液包括：纳米CeO₂浆液。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述抛光液中各组分的质量比例为：

5％～10％CeO₂颗粒，粒径≤10nm；次氯酸盐和双氧水混合液5％～15％；去离子水80％～90％，PH值9～11。

9.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述采用第一磨盘和研磨液对所述GaSb晶圆的第二表面进行一体化减薄抛光至所述GaSb晶圆的厚度小于100μm。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-9任意一项所述的半导体器件制作方法制作形成。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为发光二极管、光探测器、半导体激光器或光伏电池。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的GaSb晶圆的厚度小于30μm，厚度均匀性分布±0.5μm，粗糙度小于或等于