[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，所述方法采用执行第一阱区离子注入时使用的第一阱区掩膜层，同时作为后续执行第一倾斜离子注入时的掩膜层，故可以节约掩膜层的材料，降低成本；同时，通过增加第一阱区掩膜层中围绕栅极宽度的边缘与对应的第一有源区的边缘之间的距离，可以避免第一阱区掩膜层对第一倾斜离子注入所形成的阻挡，因而可以避免因第一倾斜离子注入无效所导致的电荷泄漏，故可以提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管，是现代集成电路中的重要器件。以 N沟道增强型MOS场效应管为例，其利用栅极电压来控制“感应电荷”的数量，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

MOS晶体管的基本结构一般包括半导体衬底，位于半导体衬底表面上的栅极结构和位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源漏掺杂区。

但是，现有的制造MOS晶体管的方法制造的半导体器件的性能仍有待提高。

发明内容

本发明实施例解决的是如何简化工艺流程，并提高半导体器件性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区，所述第一区包括第一有源区和包围第一有源区的第一隔离区，与第二区相邻的第一隔离区为第一边缘隔离区；

在所述半导体衬底的第一区上形成第一栅极结构，第一栅极结构沿第一方向横跨第一有源区；

形成第一栅极结构之后，在第二区上形成第一阱区掩膜层，第一阱区掩膜层还延伸至第一边缘隔离区的部分表面上，所述第一阱区掩膜层中具有第一开口，所述第一开口具有第一侧壁，第一侧壁包括第一侧壁区和与第一侧壁区邻接的第二侧壁区，第一侧壁区位于第一有源区沿第一方向的侧部，第二侧壁区位于第一栅极结构沿第一方向的侧部，第二侧壁区相对于第一侧壁区朝向第二区凸出，第一开口在第二侧壁区沿第一栅极结构宽度方向的尺寸大于第一栅极结构的宽度；以所述第一阱区掩膜层为掩膜对所述第一区执行第一阱离子注入，在第一区中形成包围第一有源区的第一阱区，第一阱区还位于第一边缘隔离区的部分底部以及第一栅极结构的底部；

以所述第一阱区掩膜层和第一栅极结构为掩膜，采用第一倾斜离子注入在所述第一栅极结构两侧的第一有源区中形成第一晕环区，所述第一倾斜离子注入的注入方向分别与第一方向和第一栅极结构的宽度方向之间的夹角为锐角。

可选地，所述第一阱区掩膜层的材料为光刻胶。

可选地，第一倾斜离子注入所注入的离子为P型离子。

可选地，在所述第一晕环注入之后，所述方法还包括：对第一栅极结构两侧的第一有源区进行轻掺杂漏注入，在第一栅极结构两侧的第一有源区中形成第一轻掺杂区。

可选地，所述第二侧壁区包括第一子侧壁区和与第一子侧壁区邻接且位于第一子侧壁区两侧的第二子侧壁区，第二子侧壁区与第一侧壁区邻接，第二子侧壁区与第一子侧壁区垂直，第一子侧壁区与第一侧壁区平行且垂直于第一方向。

可选地，第一开口还具有第二侧壁，所述第二侧壁位于第一有源区沿第一栅极结构宽度方向的侧部，第二侧壁与第一侧壁邻接，第二侧壁的表面为平面。

可选地，所述第一区用于形成第一类型晶体管，所述第二区用于形成第二类型晶体管，第二类型晶体管和第一类型晶体管的器件类型相反。

可选地，所述第二区包括第二有源区和包围第二有源区的第二隔离区，与第一区相邻的第二隔离区为第二边缘隔离区，对于相邻的第一区和第二区，相邻第一边缘隔离区和第二边缘隔离区邻接；

所述半导体器件的形成方法还包括：