[发明专利]磁性存储装置

权利要求书

1.一种磁性存储装置，其特征在于具备：

衬底；

第1积层体；及

第2积层体，相对于所述衬底位在与所述第1积层体相同侧，且比所述第1积层体自所述衬底更远离；

所述第1积层体及所述第2积层体分别包含：

参照层；

隧道势垒层，相对于所述参照层，设置在垂直于所述衬底之方向侧；

存储层，相对于所述隧道势垒层，设置于所述方向侧；及

第1非磁性层，相对于所述存储层，设置于所述方向侧；

所述第1积层体的所述第1非磁性层的热吸收率小于所述第2积层体的所述第1非磁性层的热吸收率。

2.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体的所述第1非磁性层包含与所述第2积层体的所述第1非磁性层不同的元素。

3.根据权利要求2所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体的所述第1非磁性层包含钌，

所述第2积层体的所述第1非磁性层包含钽。

4.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体的所述第1非磁性层具有与所述第2积层体的所述第1非磁性层不同的膜厚。

5.根据权利要求4所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体的所述第1非磁性层的膜厚薄于所述第2积层体的所述第1非磁性层的膜厚。

6.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体及所述第2积层体分别更包含：

第2非磁性层，设置在所述存储层与所述第1非磁性层之间，且包含氧化物；及

第3非磁性层，设置在所述第1非磁性层与所述第2非磁性层之间，且包含选自钌、铱、铑、钼、铁、及钴中的至少1种元素。

7.根据权利要求6所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体及所述第2积层体分别更含有包含金属的第4非磁性层，且

所述第4非磁性层位于比所述参照层、所述隧道势垒层、所述存储层、所述第1非磁性层、所述第2非磁性层及所述第3非磁性层自所述衬底更远离之位置。

8.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体及所述第2积层体分别更包含：

移位抵消层及间隔层；且

所述参照层相对于所述移位抵消层，设置于所述方向侧；及

所述间隔层设置于所述移位抵消层与所述参照层之间，包含选自钌、锇、铱、钒、及铬中的至少1种元素。

9.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第2积层体是相对于所述第1积层体，设置于所述方向侧。

10.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体是相对于所述第2积层体，设置于所述方向侧。

11.一种磁性存储装置，其特征在于具备：

衬底；

第1积层体；及

第2积层体，相对于所述衬底位在与所述第1积层体相同侧，且比所述第1积层体自所述衬底更远离；

所述第1积层体及所述第2积层体分别包含：

第1非磁性层；

参照层，其相对于所述第1非磁性层，设置在垂直于所述衬底之方向侧；

隧道势垒层，其相对于所述参照层，设置于所述方向侧；及

存储层，其相对于所述隧道势垒层，设置于所述方向侧；

所述第1积层体的所述第1非磁性层的热吸收率小于所述第2积层体的所述第1非磁性层的热吸收率。

12.根据权利要求11所述的磁性存储装置，其特征在于

所述第1积层体的所述第1非磁性层包含钌，

所述第2积层体的所述第1非磁性层包含钽。