[发明专利]太阳能电池缓坡结构及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池缓坡结构的制造方法，其特征在于，其步骤包含：

设置一第一材料层于一基板上，该第一材料层的面积小于该基板；

设置一第二材料层于该第一材料层上，该第二材料层的面积小于该第一材料层，该第二材料层未与该第一材料层接触以及该第一材料层未与该基板接触的表面形成一第一表面阶梯层；

设置一第三材料层于该第一表面阶梯层，使该第三材料层未与该基板接触的表面形成一第二表面阶梯层；

设置一第四材料层于该第二表面阶梯层以及该基板上；

涂布一光阻于该第四材料层，经曝光、显影、剥除该光阻，而保留一光阻层位于该第四材料层上方与该第二材料层平行；以及

蚀刻未包含该光阻层的该第四材料层，再剥除该光阻层使该第四材料层位于该第三材料层上与该第二材料层平行。

2.如权利要求1所述的太阳能电池缓坡结构的制造方法，其特征在于，其中该第一材料层为一透明导电氧化物，该第二材料层包含一P型半导体层、一α-硅层、一N型半导体层以及一第一金属层，该P型半导体层设置于该第一材料层之上，该α-硅层设置于该P型半导体层之上，该N型半导体层设置于该α-硅层之上，该第一金属层设置于该N型半导体层之上，该第三材料层为一有机高分子材料，该第四材料层为一第二金属层。

3.如权利要求1所述的太阳能电池缓坡结构的制造方法，其特征在于，其中于涂布一光阻于该第四材料层，经曝光、显影、剥除该光阻，而保留一光阻层位于该第四材料层上方与该第二材料层平行的步骤中，该第四材料层设置于该基板的该光阻高度小于等于该第一材料层与该第二材料层相加的高度。

4.如权利要求1所述的太阳能电池缓坡结构的制造方法，其特征在于，其中于涂布一光阻于该第四材料层，经曝光、显影、剥除该光阻，而保留一光阻层位于该第四材料层上方与该第二材料层平行的步骤中，该光阻层的面积小于该第二材料层。

5.一种太阳能电池缓坡结构，其特征在于，其包含：

一第一材料层，设置于一基板上，该第一材料层的面积小于该基板；

一第二材料层，设置于该第一材料层上，该第二材料层的面积小于该第一材料层，该第二材料层未与该第一材料层接触以及该第一材料层未与该基板接触的表面形成一第一表面阶梯层；

一第三材料层，设置于该第一表面阶梯层，使该第三材料层未与该基板接触的表面形成一第二表面阶梯层；以及

一第四材料层，设置于该第二表面阶梯层以及该基板上；

其中，涂布一光阻于该第四材料层，经曝光、显影、剥除该光阻，而保留一光阻层位于该第四材料层上方与该第二材料层平行，

并且蚀刻未包含该光阻层的该第四材料层，再剥除该光阻层使该第四材料层位于该第三材料层上与该第二材料层平行。

6.如权利要求5所述的太阳能电池缓坡结构，其特征在于，其中该第一材料层为一透明导电氧化物，该第二材料层包含一P型半导体层、一α-硅层、一N型半导体层以及一第一金属层，该P型半导体层设置于该第一材料层之上，该α-硅层设置于该P型半导体层之上，该N型半导体层设置于该α-硅层之上，该第一金属层设置于该N型半导体层之上，该第三材料层为一有机高分子材料，该第四材料层为一第二金属层。

7.如权利要求5所述的太阳能电池缓坡结构，其特征在于，其中该第四材料层设置于该基板的该光阻高度小于等于该第一材料层与该第二材料层相加的高度。

8.如权利要求5所述的太阳能电池缓坡结构，其特征在于，其中该光阻层的面积小于该第二材料层。