[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用有效

专利信息
申请号: 202010121476.6 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111261355B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 骆溁;黄佳莹;廖宗博;蓝琴;林玉麟;师大伟;谢菊华;龙严清 申请(专利权)人: 厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/12;C22C38/06;C22C38/10
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;邹玲
地址: 361000*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 钕铁硼 磁体 材料 原料 组合 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种钕铁硼磁体材料,其特征在于,R:28~33wt%;所述R包括R1和R2,所述R2的含量为0.2~1wt%;所述R2包括Tb;所述R1包括Nd、且不含RH;

B:0.9~1.1wt%;

Cu:0.15wt%以下、且不为0 wt%;

M:0.4wt%以下、且不为0 wt%;

M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种;

Fe:60~70.6wt%;

wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

所述钕铁硼磁体材料中的Co:<0.5wt%、且不为0 wt%;

所述钕铁硼磁体材料包含Nd2Fel4B晶粒和其壳层、邻接所述Nd2Fel4B晶粒的二颗粒晶界和晶界三角区,R1中的Nd分布在所述Nd2Fel4B晶粒、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区,R2主要分布在所述壳层、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区;所述晶界三角区的面积占比为1.45~2.9%;所述钕铁硼磁体材料的晶界连续性为97.5%以上;

所述二颗粒晶界中还含有化学组成为R24.09~29.88M0.24~0.48Cu1.7~2.84(Fe+Co)67.35~73.24物相,其中R包括Nd和Tb,M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料,其特征在于,

所述晶界三角区面积占比为1.49~2.4%或者2.15~2.9%;

和/或,所述晶界连续性为98%以上;

和/或,所述R的含量范围为29.5~31.5wt%或者29.8~32.8 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述R1还包括Pr、La和Ce中的一种或多种;

和/或,所述R2的含量范围为0.2~0.8 wt%或者0.5~1 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述Tb的含量范围为0.5~1wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述R2还包括Pr、Dy、Ho和Gd中的一种或多种;

和/或,所述B的含量范围为0.9~0.99wt%或0.98~1.05 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述Cu的含量范围为0.07~0.15 wt%或者0.08wt%以下、且不为0 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述Cu的添加方式为熔炼和/或晶界扩散时添加;

和/或,所述M的含量为0.1~0.15wt%或者0.1~0.32 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比;

和/或,所述M还包括Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种;

和/或,所述Co的含量范围为0.4wt%以下、且不为0,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比。

3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料,其特征在于,所述晶界三角区面积占比为1.84%、2.38%、2.16%、2.47%、1.91%、1.49%、1.98%或2.86%。

4.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料,其特征在于,所述晶界连续性为99.21%、98.34%、99.24%、98.02%、97.94%或98.13%。

5.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料,其特征在于,所述R的含量范围为31.2 wt%、32.2 wt%或30.9 wt%,wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比。

6.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料,其特征在于,所述R1还包括Pr。

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