[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体材料，其特征在于，R：28~33wt%；所述R包括R1和R2，所述R2的含量为0.2~1wt%；所述R1包括Nd、且不含RH；

所述R2包括Tb；

B：0.9~1.1wt%；

Cu：0.15wt%以下、且不为0 wt%；

M：0.4wt%以下、且不为0 wt%；

所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；

Fe：60~70.65wt%；

wt%为各元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

所述钕铁硼磁体材料中不含有Co；

所述钕铁硼磁体材料包含Nd₂Fe_l4B晶粒和其壳层、邻接所述Nd₂Fe_l4B晶粒的二颗粒晶界和晶界三角区，R1中的Nd分布在所述Nd₂Fe_l4B晶粒、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区；R2主要分布在所述壳层、所述二颗粒晶界和所述晶界三角区；所述晶界三角区的面积占比为2.5~3.5%；所述钕铁硼磁体材料的晶界连续性为97.5%以上；

所述二颗粒晶界中C和O的质量占比为0.31~0.4%；所述晶界三角区中C和O的质量占比为0.41~0.50%。

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述二颗粒晶界中还含有化学组成为R_85.5~88Fe_1.5~2.3Cu_0.9~1.3M_8.8~11物相，其中R包括Nd和Tb，M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；

和/或，所述晶界三角区面积占比为2.5~3.05%；

和/或，所述晶界连续性为97.5%以上；

和/或，所述R的含量范围为29.5~31.5wt%或者29.8~32.8 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

和/或，所述R1还包括Pr、La和Ce中的一种或多种；

和/或，所述R2的含量范围为0.2~0.8 wt%或者0.5~1 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

和/或，所述Tb的含量范围为0.5~1wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

和/或，所述R2还包括Pr、Dy、Ho和Gd中的一种或多种；

和/或，所述B的含量范围为0.9~0.99wt%或0.98~1.05 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

和/或，所述Cu的含量范围为0.07~0.15 wt%或者0.08wt%以下、且不为0 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比

和/或，所述Cu的添加方式为熔炼和/或晶界扩散时添加；

和/或，所述M的含量为0.05~0.25wt%或者0.1~0.36 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比；

和/或，所述M为Ga、Zn和Bi中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述晶界三角区面积占比为2.85%、2.76%、2.59%、3.01%、2.98%、2.68%、2.77%或2.64%。

4.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述晶界连续性为97.88%、98.12%、98.15%、97.93%、97.86%、97.91%、98.01%或98.06%。

5.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述R的含量范围为31.2 wt%、32.2 wt%或30.9 wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比。

6.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述R1还包括Pr。

7.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述R2的含量范围为0.6 wt%、0.9 wt%、0.94 wt%或0.7wt%，wt%为元素占所述钕铁硼磁体材料的质量百分比。