[发明专利]一种排查弹坑的测试方法、装置及智能打线设备

说明书

本发明实施例公开了一种排查弹坑的测试方法、装置及智能打线设备，所述方法包括：对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片；将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑。本发明实施例还公开了一种智能打线设备，本发明实施例公开的技术方案可以有效提高排查弹坑的准确率，提高了测试效率，并提高打线的良率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种排查弹坑的测试方法、装置及智能打线设备。

背景技术

目前针对半导体集成电路打线工艺都是通过球焊工艺方法完成，如打线工艺控制偏差会造成芯片正面AL-Si-CU电极层电路受到损伤，因此需要了解判断球焊过程中是否与芯片AL-Si-CU电极层接合后对芯片AL-Si-CU电极层造成了影响，我们业内称之为弹坑的检测至关重要，成为了集成电路封装打线过程中关键的质量控制点。

目前最常用的弹坑实验是用氢氧化钾、磷酸、王水等进行腐蚀观察。另外，也有采用高倍显微镱进行观察，腐蚀的方法是通过破坏性实验进行排查弹坑，虽然准确度高，但实验难度较大，高倍显微镜的方法虽然简单，但会出现明显的误判和漏判，准确度差。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓减解决上述问题，通过本发明实施例公开的技术方案可以有效解决现有技术中的排查测试实验难度大或排查准确度差的技术问题。

第一方面，本发明实施例公开了一种排查弹坑的测试方法，包括：

对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片；

将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑。

优选地，所述对待测芯片进行电性测试，获取每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值或瞬时电流值，所述待测芯片为已打线芯片，包括：

从起始电压开始依次增加电压值对所述待测芯片进行电性测试，每次测试相对于上次测试增加的电压值均相同；

获取每次增加电压值进行测试通过所述待测芯片的瞬时电流值；或，

从起始电流开始依次增加电流值对所述待测芯片进行电性测试，每次测试相对于上次测试增加的电流值均相同；

获取每次增加电流值进行测试通过所述待测芯片的瞬时电压值。

优选地，每次测试增加的电压值为5V，每次测试增加的电流值为10nA。

优选地，所述起始电压为正常芯片的额定电压，所述起始电流为正常芯片的额定电流。

优选地，所述将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压阈值进行对比分析，或将瞬时电流值与预设电流阈值进行对比分析，根据对比分析结果判断所述待测芯片是否存在弹坑，包括：

将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电压值与预设电压值进行对比分析，如果通过所述待测芯片的瞬时电压值小于预设电压阈值，则判断所述待测芯片存在弹坑；或

将每次测试通过所述待测芯片的瞬时电流值与预设电流值进行对比分析，如果通过所述待测芯片的瞬时电流值大于预设电流阈值，则判断所述待测芯片存在弹坑。

优选地，还包括：

通过与所述待测芯片任意两个引脚连接进行电性测试，或

通过与所述待测芯片任意一个引脚和芯片基板连接进行电性测试。