[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其包含带隙比硅的带隙宽的半导体；

第一个第一导电型区，其设置于所述半导体基板的内部；

第一个第二导电型区，其设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一个第一导电型区之间；

第一绝缘栅型场效应晶体管，其将所述第一个第一导电型区作为漂移区，将所述第一个第二导电型区作为基区；

所述第一绝缘栅型场效应晶体管的第一源极焊盘，其设置于所述半导体基板的第一主面上，且电连接到所述第一个第二导电型区；

第二个第二导电型区，其设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一个第一导电型区之间的与所述第一个第二导电型区不同的区域；

第二绝缘栅型场效应晶体管，其将所述第一个第一导电型区作为漂移区，将所述第二个第二导电型区作为基区，且具有个数比所述第一绝缘栅型场效应晶体管的单元的个数少且单元结构与所述第一绝缘栅型场效应晶体管的单元结构相同的多个单元；

所述第二绝缘栅型场效应晶体管的第二源极焊盘，其以与所述第一源极焊盘分离的方式设置于所述半导体基板的第一主面上，且电连接到所述第二个第二导电型区；

场绝缘膜，其在除了配置有所述第一绝缘栅型场效应晶体管的单元的第一有效区和配置有所述第二绝缘栅型场效应晶体管的单元的第二有效区以外的无效区中覆盖所述半导体基板的第一主面；

第二个第一导电型区，其在所述无效区中设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一个第一导电型区之间，与所述第二有效区接触，且包围所述第二有效区的周围；以及

漏电极，其电连接到所述半导体基板的第二主面，且被所述第一绝缘栅型场效应晶体管和所述第二绝缘栅型场效应晶体管共用，

将所述场绝缘膜的覆盖所述第二个第一导电型区的第一部分的厚度设为比剩余的第二部分的厚度厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第一导电型区的表面积为所述第二有效区的表面积以上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第一导电型区设置于所述第二源极焊盘的正下方的除了所述第二有效区以外的整个区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备1个以上的电极焊盘，所述电极焊盘在所述无效区中以与所述第一源极焊盘和所述第二源极焊盘分离的方式设置于所述半导体基板的第一主面上，且在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与所述半导体基板对置，

所述第二个第一导电型区从所述第二源极焊盘的正下方延伸到在与所述半导体基板的第一主面正交的方向上与至少1个所述电极焊盘对置的区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述电极焊盘为所述第一绝缘栅型场效应晶体管的栅极焊盘。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有检测所述第一绝缘栅型场效应晶体管的温度的二极管的所述电极焊盘。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有保护所述第一绝缘栅型场效应晶体管不受过电压影响的二极管的所述电极焊盘。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二个第一导电型区设置于所述无效区的整个区域。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第三个第二导电型区，所述第三个第二导电型区是所述无效区中的除了所述第二个第一导电型区以外的区域，设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一个第一导电型区之间，与所述第一个第二导电型区电连接，并在与所述半导体基板的第一主面平行的方向上隔着所述第二个第一导电型区而与所述第二有效区对置。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述场绝缘膜的所述第一部分的厚度为所述场绝缘膜的所述第二部分的厚度的1.5倍以上且2.5倍以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二绝缘栅型场效应晶体管对在所述第一绝缘栅型场效应晶体管中流通的过电流进行检测。