[发明专利]复合体与SiOC结构体及其制法、负极及组合物、二次电池

权利要求书

1.一种碳氧化硅结构体，包含：

(A)至少一个硅系微粒子；以及

(B)碳氧化硅涂层，所述碳氧化硅涂层至少含有Si(硅)、O(氧)及C(碳)作为构成元素，

所述至少一个硅系微粒子由所述碳氧化硅涂层被覆，且

基于体积基准粒度分布的平均粒子径处于1nm～999μm的范围。

2.根据权利要求1所述的碳氧化硅结构体，其中基于体积基准粒度分布的平均粒子径处于1μm～10μm的范围。

3.根据权利要求1所述的碳氧化硅结构体，其中通过利用所述SiOC涂层完全被覆所述至少一个硅系微粒子而形成有多个二次粒子。

4.一种负极用组合物，包含根据权利要求1所述的SiOC结构体作为负极活性物质。

5.一种负极，包含根据权利要求4所述的负极用组合物。

6.一种锂离子二次电池，包括至少一个根据权利要求5所述的负极。

7.一种硅系微粒子/含硅聚合物复合体，包含：

(A)至少一个硅系微粒子；以及

(B)涂层，所述涂层含有含硅聚合物，

所述至少一个硅系微粒子由所述涂层被覆，且

基于体积基准粒度分布的平均粒子径处于1nm～999μm的范围。

8.根据权利要求7所述的硅系微粒子/含硅聚合物复合体，其中所述含硅聚合物为聚倍半硅氧烷。

9.根据权利要求7所述的硅系微粒子/含硅聚合物复合体，其中所述含硅聚合物包含选自由聚倍半硅氧烷所组成的群组中的至少一个，所述聚倍半硅氧烷分别具有由下述的通式(I)、通式(II)、通式(III)及通式(IV)分别所表示的聚倍半硅氧烷结构，

[化1]

[化2]

[化3]

[化4]

式中，R¹及R⁴分别独立地选自由碳数1～45的经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、及经取代或未经取代的芳基烷基所组成的群组中，在碳数1～45的烷基中，任意的氢可经卤素取代，任意的-CH₂-可经-O-、-CH＝CH-、亚环烷基或亚环烯基取代，在经取代或未经取代的芳基烷基中的亚烷基中，任意的氢可经卤素取代，任意的-CH₂-可经-O-、-CH＝CH-或亚环烷基取代；

R²、R³、R⁵及R⁶分别独立地选自由氢、碳数1～45的经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、及经取代或未经取代的芳基烷基所组成的群组中，在碳数1～45的烷基中，任意的氢可经卤素取代，任意的-CH₂-可经-O-、-CH＝CH-、亚环烷基、亚环烯基或-SiR¹₂-取代，在经取代或未经取代的芳基烷基中的亚烷基中，任意的氢可经卤素取代，任意的-CH₂-可经-O-、-CH＝CH-、亚环烷基、亚环烯基或-SiR¹₂-取代；n表示1以上的整数。